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公开(公告)号：CN118891724A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093334.0
申请日：2022-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块半导体封装（1）具备基板（5）、第1功率半导体元件（17）、第2功率半导体元件（41）、散热器（31）以及密封树脂（53）等。在从基板（5）的第2主面（5b）观察的俯视图中，在第1功率半导体元件（17）中具备与第2功率半导体元件（41）以及基板（5）不重叠的区域（18）。不重叠的区域（18）位于基板（5）中的基板开口部（7）。利用第1键合导线（47），经由该基板开口部（7），将第1功率半导体元件（17）的第1信号电极（21）和第1信号端子（37a）电连接。
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公开(公告)号：CN113841237B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980096491.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 导电线(20)在接合部(21)与半导体元件(15)的前面电极(17)接合。第1树脂部件(30)覆盖接合部(21)的两端部(21p、21q)的至少一个端部、前面电极(17)的第1表面(17a)以及导电线(20)的第2表面(20a)。第2树脂部件(33)覆盖第1树脂部件(30)的弯曲部(31)。第1树脂部件(30)具有比第2树脂部件(33)高的断裂伸长率以及高的断裂强度。第2树脂部件(33)的第2拉伸弹性模量高于第1树脂部件(30)的第1拉伸弹性模量。功率半导体模块(1)具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN113841235B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980096496.8
申请日：2019-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热构件(7)、半导体封装体(200)、连接构件(8)以及限制构件(9)。连接构件(8)将散热构件(7)与半导体封装体(200)连接。连接构件(8)包含树脂成分。限制构件(9)以包围连接构件(8)的方式被配置于主表面(7a)上。在与主表面(7a)垂直的方向上，限制构件(9)的顶部(9a)的位置与连接构件(8)的半导体封装体(200)侧的表面的外周部的位置相比远离主表面(7a)。
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公开(公告)号：CN108604589B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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公开(公告)号：CN108604589A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116762164A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180090637.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 本公开的半导体装置(1)具备：半导体元件(9)；多个导电部件(5)，与半导体元件(9)电连接，朝向上方延伸；密封树脂(6)，密封半导体元件(9)和导电部件(5)，并且形成覆盖多个导电部件(5)的顶端部(5a)的周围的突出部(6a)；控制基板(7)，形成有突出部(6a)被插入的贯通孔(7a)，具有控制电极(7b)；以及可挠性布线(8)，连接控制电极(7b)和导电部件(5)的顶端部(5a)，具有可挠性，通过这样的结构，能够得到防止由于在半导体装置(1)或者半导体封装(4)产生的外力或者应力引起的不良现象、耐久性优良的半导体装置(1)或者半导体封装(4)。
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公开(公告)号：CN116325135A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202080106393.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体封装(100)具备半导体元件(1)、第1绝缘层(5)、第1布线层(6)、第2绝缘层(7)以及第2布线层(8)。第1绝缘层(5)覆盖半导体元件(1)。第1布线层(6)包括第1层部(61)。第1层部(61)覆盖第1绝缘层(5)。第2绝缘层(7)覆盖第1绝缘层(5)以及第1布线层(6)。第2布线层(8)通过第2贯通孔(TH2)以及第3贯通孔(TH3)与半导体元件(1)电连接。第2布线层(8)包括第2层部(81)。第2层部(81)覆盖第2绝缘层(7)。第2布线层(8)的第2层部(81)具有在夹着第2绝缘层(7)的状态下叠加于第1布线层(6)的第1层部(61)的部分。
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公开(公告)号：CN115023805A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080095063.3
申请日：2020-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体模块(1)具备第一功率半导体元件(20)、导电导线(35)和树脂膜(40)。导电导线(35)接合到第一功率半导体元件(20)的第一前表面电极(22)的表面(22a)。树脂膜(40)连续地形成于导电导线(35)的长度方向上的第一前表面电极(22)和导电导线(35)之间的第一接合部(30)的端部(30a)或端部(30b)的至少一个、第一前表面电极(22)的表面(22a)和导电导线(35)的表面(35a)。树脂膜(40)的弹性伸长率是4.5％以上且10.0％以下。
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公开(公告)号：CN109743882A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201780056129.6
申请日：2017-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。
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公开(公告)号：CN115023805B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202080095063.3
申请日：2020-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体模块(1)具备第一功率半导体元件(20)、导电导线(35)和树脂膜(40)。导电导线(35)接合到第一功率半导体元件(20)的第一前表面电极(22)的表面(22a)。树脂膜(40)连续地形成于导电导线(35)的长度方向上的第一前表面电极(22)和导电导线(35)之间的第一接合部(30)的端部(30a)或端部(30b)的至少一个、第一前表面电极(22)的表面(22a)和导电导线(35)的表面(35a)。树脂膜(40)的弹性伸长率是4.5％以上且10.0％以下。
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