半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN109743882B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN201780056129.6

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘基板(52),在上表面和下表面具有导体层(51、53),在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4);底板(1),与下表面的导体层(53)接合;壳体部件(2),包围绝缘基板(52),被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面;作为硅组合物的第一填充材料(9),被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域;以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10),在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部,该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

    电力用半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108369927B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201680068081.6

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备:在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2;与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5;将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4;与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1;包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6;密封树脂8,其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域,室温下的树脂强度为0.12MPa以上,微晶化温度为‑55℃以下,在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下,将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。

    半导体模块
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108305852A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810029972.1

    申请日:2018-01-12

    CPC classification number: H01L23/10

    Abstract: 提供一种能够抑制双头螺栓伴随着外部连接端子的装拆而脱落的半导体模块。半导体模块(10)具备壳体(11)。壳体(11)具备底面部(14)、壳体框(20)、以及壳体盖(30)。在壳体(11)内设置有内部电极(17)和双头螺栓(40)。将双头螺栓(40)的头部(43)设为以呈锥形状的方式前端变细,筒部(34)的内径越向下方越以锥形状变大,以使得与头部(43)的侧面的间隔保持恒定。根据这样的结构,即使双头螺栓(40)试图向上方拔出,也能够通过筒部(34)按压头部(43)。因此,能够抑制在外部连接端子(4)的装拆时双头螺栓(40)由于通过端子固定螺钉(2)施加的力而松动或脱落。

    半导体模块
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108305852B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201810029972.1

    申请日:2018-01-12

    Abstract: 提供一种能够抑制双头螺栓伴随着外部连接端子的装拆而脱落的半导体模块。半导体模块(10)具备壳体(11)。壳体(11)具备底面部(14)、壳体框(20)、以及壳体盖(30)。在壳体(11)内设置有内部电极(17)和双头螺栓(40)。将双头螺栓(40)的头部(43)设为以呈锥形状的方式前端变细,筒部(34)的内径越向下方越以锥形状变大,以使得与头部(43)的侧面的间隔保持恒定。根据这样的结构,即使双头螺栓(40)试图向上方拔出,也能够通过筒部(34)按压头部(43)。因此,能够抑制在外部连接端子(4)的装拆时双头螺栓(40)由于通过端子固定螺钉(2)施加的力而松动或脱落。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN109743882A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201780056129.6

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘基板(52),在上表面和下表面具有导体层(51、53),在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4);底板(1),与下表面的导体层(53)接合;壳体部件(2),包围绝缘基板(52),被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面;作为硅组合物的第一填充材料(9),被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域;以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10),在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部,该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

Patent Agency Ranking