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公开(公告)号：CN115084122A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210242275.0
申请日：2022-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 真船正行
Abstract: 得到能够削减制造成本的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。在绝缘树脂(2)之上设置有金属图案(3)。半导体芯片(4)接合于金属图案(3)。壳体(7)以将半导体芯片(4)包围的方式粘接于绝缘树脂(2)。封装材料(9)在壳体(7)的内部对半导体芯片(4)进行封装。盖(11)设置于壳体(7)的上部且将半导体芯片(4)及封装材料(9)覆盖。在盖(11)设置有V字型的槽(10)。
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公开(公告)号：CN108369927B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为‑55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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公开(公告)号：CN111199960B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201911119678.0
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 真船正行
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置。半导体装置(100)具备壳体部件(2)、金属部件(3P)、金属制的基座板(1P)。金属部件(3P)固定于壳体部件(2)。金属部件(3P)的一部分区域从壳体部件(2)露出。上述一部分区域在接合部(13P)处与基座板(1P)接合。在接合部(13P)处，一部分区域的表面和基座板(1P)的表面直接接触而成为一体。
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公开(公告)号：CN111199960A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911119678.0
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 真船正行
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置。半导体装置(100)具备壳体部件(2)、金属部件(3P)、金属制的基座板(1P)。金属部件(3P)固定于壳体部件(2)。金属部件(3P)的一部分区域从壳体部件(2)露出。上述一部分区域在接合部(13P)处与基座板(1P)接合。在接合部(13P)处，一部分区域的表面和基座板(1P)的表面直接接触而成为一体。
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公开(公告)号：CN108369927A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为-55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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