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公开(公告)号：CN110323186A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910227577.9
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L21/52 , H02M7/00
Abstract: 本发明的目的在于得到抑制电路图案上的有效面积的缩小并且确保绝缘性的功率模块。特征在于，具备：绝缘基板，其在上表面具有电路图案，在下表面具有金属板；半导体元件，其经由导电性部件而与电路图案接合；壳体，其配置为将绝缘基板的周边包围；封装材料，其在被壳体包围的部位，对半导体元件和绝缘基板进行封装；以及粘接材料，其在绝缘基板的侧面，将壳体与金属板固定。
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公开(公告)号：CN114334883B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111121122.2
申请日：2021-09-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够实现半导体装置的小型化的技术。半导体装置具有：绝缘基板；第1半导体元件，其与绝缘基板连接；导电部件，其配置于绝缘基板之上，包含在俯视观察时相对于第1半导体元件而彼此位于相反侧的第1相对部分以及第2相对部分；第1导线，其连接于第1半导体元件之上以及第1相对部分之上；以及第2导线，其连接于第1半导体元件之上以及第2相对部分之上，在俯视观察时相对于第1导线与第1半导体元件之间的连接点而位于与第1导线相反侧。
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公开(公告)号：CN113675157B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110503014.5
申请日：2021-05-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 北林拓也
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 对由金属导线的发热引起的半导体元件的温度上升进行抑制。半导体装置具有：印刷基板，其在上表面具有第一电路图案及第二电路图案；以及半导体元件，其配置于第一电路图案的上表面，半导体元件在上表面配置漏极电极，在下表面配置栅极电极及源极电极，栅极电极及源极电极经由第一接合材料与第一电路图案的上表面接合，漏极电极经由与半导体元件的上表面连接的金属部件与第二电路图案的上表面接合。
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公开(公告)号：CN111446230B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010027903.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
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公开(公告)号：CN110880488A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910815062.0
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323186B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910227577.9
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L21/52 , H02M7/00
Abstract: 本发明的目的在于得到抑制电路图案上的有效面积的缩小并且确保绝缘性的功率模块。特征在于，具备：绝缘基板，其在上表面具有电路图案，在下表面具有金属板；半导体元件，其经由导电性部件而与电路图案接合；壳体，其配置为将绝缘基板的周边包围；封装材料，其在被壳体包围的部位，对半导体元件和绝缘基板进行封装；以及粘接材料，其在绝缘基板的侧面，将壳体与金属板固定。
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公开(公告)号：CN114334883A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111121122.2
申请日：2021-09-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L25/18 , H01L29/417
Abstract: 目的在于提供能够实现半导体装置的小型化的技术。半导体装置具有：绝缘基板；第1半导体元件，其与绝缘基板连接；导电部件，其配置于绝缘基板之上，包含在俯视观察时相对于第1半导体元件而彼此位于相反侧的第1相对部分以及第2相对部分；第1导线，其连接于第1半导体元件之上以及第1相对部分之上；以及第2导线，其连接于第1半导体元件之上以及第2相对部分之上，在俯视观察时相对于第1导线与第1半导体元件之间的连接点而位于与第1导线相反侧。
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公开(公告)号：CN110880488B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910815062.0
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。
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公开(公告)号：CN113675157A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110503014.5
申请日：2021-05-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 北林拓也
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L29/739
Abstract: 对由金属导线的发热引起的半导体元件的温度上升进行抑制。半导体装置具有：印刷基板，其在上表面具有第一电路图案及第二电路图案；以及半导体元件，其配置于第一电路图案的上表面，半导体元件在上表面配置漏极电极，在下表面配置栅极电极及源极电极，栅极电极及源极电极经由第一接合材料与第一电路图案的上表面接合，漏极电极经由与半导体元件的上表面连接的金属部件与第二电路图案的上表面接合。
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公开(公告)号：CN111446230A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010027903.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。
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