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公开(公告)号：CN118541796A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280088805.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中原贤太
Abstract: 提供半导体装置，其能够降低由于半导体装置的温度变化而在电容器产生的应力，由此能够抑制电容器的破损。半导体装置具有：绝缘基板；半导体元件；电容器；第1引线，其具有面；以及第2引线，其具有面，绝缘基板具有绝缘层和在绝缘层之上设置的导体图案，半导体元件接合于导体图案之上，第1引线与半导体元件电连接，第1引线的面与第2引线的面彼此相对，电容器位于彼此相对的第1引线的面和第2引线的面之间，电容器与第1引线以及第2引线连接。
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公开(公告)号：CN109427703B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810935581.6
申请日：2018-08-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中原贤太
Abstract: 目的在于得到使得搭载有半导体元件(1)的绝缘基板(2)和壳体(10)易于拆卸的功率模块(50)。具备：绝缘基板(2)；半导体元件(1)，其设置在绝缘基板之上；内部端子(3)，其设置在绝缘基板之上，与半导体元件(1)电连接；封装材料(4)，其以内部端子(3)的端部露出的方式，将内部端子(3)、半导体元件(1)和绝缘基板(2)进行封装；壳体(10)，其与封装材料(4)分离，覆盖封装材料(4)；以及弹性部件(12)，其将壳体(10)与内部端子(3)的端部连接。
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公开(公告)号：CN114556548A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201980101259.6
申请日：2019-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中原贤太
Abstract: 本发明的目的在于提高功率模块的半导体芯片上的金属导线的散热性。功率模块(101)具有：至少1个半导体芯片，其搭载于绝缘基板(7)的电路图案(6b)；多根金属导线(10a、10b)，它们与半导体芯片的表面连接；以及导热片，其从上方与金属导线(10a、10b)接触。金属导线具有：至少1根金属导线(10a)，其将半导体芯片的表面与电路图案(6a)连接；以及至少1根金属导线(10b)，其将半导体芯片的表面上的两点连接，与金属导线(10a)为同电位。导热片包含石墨片(11)，导热片的片材面与至少1根金属导线(10a)、至少1根金属导线(10b)接触。
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公开(公告)号：CN108496249B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680079904.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具有：基板；多个半导体芯片，它们固定于该基板；绝缘板，其形成有贯穿孔；第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与该下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外；第2下部导体，其形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接；上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于该绝缘板的上表面，该上部凸出部与该上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外；连接部，其设置于该贯穿孔，将该上部主体和该第2下部导体连接；第1外部电极，其与该下部凸出部连接；以及第2外部电极，其与该上部凸出部连接。
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公开(公告)号：CN119234310A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202280095464.8
申请日：2022-05-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在散热板(5)的上表面沿绝缘基板(1)的外周设置有槽(6)。第1焊料接合材料(7)被填充于槽(6)。第2焊料接合材料(8)设置于散热板(5)的上表面及第1焊料接合材料(7)之上，将散热板(5)的上表面和第1金属图案(1b)接合。第1焊料接合材料(7)与第2焊料接合材料(8)的种类不同。填充于槽(6)的第1焊料接合材料(7)的熔点低于第2焊料接合材料(8)的熔点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107546180B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710490908.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。
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公开(公告)号：CN105990277A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610150847.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/4012 , H01L23/49861 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/371 , H01L2224/40227 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/84 , H01L23/367 , H01L23/4275
Abstract: 防止导热层从绝缘基板和冷却装置之间向外被挤出。绝缘基板(10)具有基底部(11)、绝缘层(12)以及电路图案(2)，该基底部(11)由金属制成，成为散热面(SR)。绝缘基板(10)在室温时在散热面具有凸形状的翘曲。电力用半导体元件(3)安装在电路图案(2)之上。封装材料(7)的厚度比绝缘基板(10)的厚度大。封装材料(7)的线膨胀系数比在绝缘基板(10)的安装面(SM)的面内方向上的绝缘基板(10)的线膨胀系数大。导热层(20)设置在基底部(11)的散热面(SR)之上，在室温时为固体状，在大于或等于比室温高的相变温度时为液状。
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公开(公告)号：CN104916601A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510104375.7
申请日：2015-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
CPC classification number: H01L23/4275 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L33/641 , H01L35/30 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种半导体装置，其能够得到与冷却器的良好的热学以及机械连接。基座板(1)具有：安装面(SM)，在安装面(SM)安装有半导体元件(4)；以及散热面(SR)，其用于向冷却器散热。包覆部(110)具有在基座板(1)的安装面(SM)上对半导体元件(4)进行封装的部分。包覆部(110)具有凸出部分(110P)，该凸出部分(110P)配置于散热面(SR)的外侧，在厚度(DT)方向上比散热面(SR)凸出。介质部(200)设置于基座板(1)的散热面(SR)上，在厚度方向(DT)上比包覆部(110)的凸出部分(110P)凸出，由固相状态的热塑性材料构成。
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公开(公告)号：CN119631174A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202280096070.4
申请日：2022-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中原贤太
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制将电极端子搭载于绝缘基板的电路图案时的位置偏移的技术。半导体装置包括：在上表面形成有电路图案(3)的绝缘基板(1)；搭载在电路图案(3)上的半导体元件(5)；以及具有与电路图案(3)的上表面接合的接合部(6a)且与半导体元件(5)电连接的电极端子(6)，在电路图案(3)中设有嵌合部，在电极端子(6)的接合部(6a)上设有与嵌合部嵌合的被嵌合部。
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公开(公告)号：CN114556548B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980101259.6
申请日：2019-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中原贤太
Abstract: 本发明的目的在于提高功率模块的半导体芯片上的金属导线的散热性。功率模块(101)具有：至少1个半导体芯片，其搭载于绝缘基板(7)的电路图案(6b)；多根金属导线(10a、10b)，它们与半导体芯片的表面连接；以及导热片，其从上方与金属导线(10a、10b)接触。金属导线具有：至少1根第1金属导线(10a)，其将半导体芯片的表面与电路图案(6a)连接；以及至少1根第2金属导线(10b)，其将半导体芯片的表面上的两点连接，与第1金属导线(10a)为同电位。导热片包含石墨片(11)，导热片的片材面与至少1根第1金属导线(10a)、至少1根第2金属导线(10b)接触。
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