半导体装置及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119234310A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202280095464.8

    申请日:2022-05-02

    Abstract: 在散热板(5)的上表面沿绝缘基板(1)的外周设置有槽(6)。第1焊料接合材料(7)被填充于槽(6)。第2焊料接合材料(8)设置于散热板(5)的上表面及第1焊料接合材料(7)之上,将散热板(5)的上表面和第1金属图案(1b)接合。第1焊料接合材料(7)与第2焊料接合材料(8)的种类不同。填充于槽(6)的第1焊料接合材料(7)的熔点低于第2焊料接合材料(8)的熔点。

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