公开(公告)号：CN103219301A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210385725.8

申请日：2012-10-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 碓井修 ,  吉松直树 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/14 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3755 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。以低成本提供具有高的冷却性能的功率半导体模块。半导体芯片（120a、140a）的第一芯片主面与热分流器（160a）接合，半导体芯片（120a、140a）的第二芯片主面与第一电极（250a）接合。半导体芯片（120b、140b）的第一芯片主面与热分流器（160b）接合，半导体芯片（120b、140b）的第二芯片主面与第一电极（250b）接合。多个电极（250a、250b、270b、290a、290b）由引线框供给。从热分流器（160a、160b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘构件（210）。从第一电极（250a、250b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘基板。

公开(公告)号：CN102487053A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110260135.8

申请日：2011-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊池正雄 ,  碓井修

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225

Abstract: 本发明的目的在于提供一种针对温度变化的可靠性较高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：冷却器（101），具有由金属基底（1）形成的主面；被接合层（3a、3b），隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上；绝缘层（4a、4b），固定在被接合层（3a、3b）上并且以有机树脂为母材；金属层（5a、5b），设置在绝缘层（4a、4b）上；半导体元件（7a、7b、7c），设置在金属层（5a、5b）上。包括被接合层（3a、3b）、绝缘层（4a、4b）、金属层（5a、5b）的层叠体按一个或多个半导体元件（7a、7b、7c）被分割并且隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上。

公开(公告)号：CN110828409B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910650002.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  田中阳 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置的制造方法。抑制端子接合的接合强度的波动，提高装置的可靠性。半导体装置具备：绝缘基板(3)，其形成有电路面(3b)；以及外部端子(7B)，其与电路面接合。电路面的上表面与外部端子的下表面的一部分接触而接合，在电路面的上表面与外部端子的下表面接触的部位的至少一部分形成电路面和外部端子的熔融部(11)，在电路面的上表面与外部端子的下表面之间产生的间隙的尺寸小于或等于20μm，电路面以及外部端子均为铜或者铜合金。

公开(公告)号：CN102270615B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110158241.5

申请日：2011-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊池正雄

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/42 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件(4)；作为第1金属块的金属块(7)，该金属块(7)通过选择性地形成于功率半导体元件(4)上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案(100)与功率半导体元件(4)连接；以及覆盖着功率半导体元件(4)与金属块(7)而充填的注塑树脂(9)，金属块(7)其上表面从注塑树脂(9)表面露出。

公开(公告)号：CN103400832A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310329025.1

申请日：2011-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊池正雄

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L23/433

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制装置大型化并且抑制电感增大的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置具备功率半导体元件（4）；作为第1金属块的金属块（7），该金属块（7）通过选择性地形成于功率半导体元件（4）上表面的作为第1上表面电极图案的上表面电极图案（100）与功率半导体元件（4）连接；以及覆盖着功率半导体元件（4）与金属块（7）而充填的模树脂（9），金属块（7）其上表面从模树脂（9）表面露出。

公开(公告)号：CN111344840A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880072262.5

申请日：2018-11-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳本辰则 ,  佐藤香织 ,  菊池正雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：第1主电极及第2主电极，分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上；保护膜，配设于所述第1主电极的端缘部上；以及第1金属膜，配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域，在所述第1金属膜中，中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚，并且在表面具有凹凸。

公开(公告)号：CN104126225B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280069780.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫本昇 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/40 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 冷却片(9)与半导体元件(1)的下表面接合。树脂(10)对半导体元件(1)进行封装。冷却片(9)的一部分从树脂(10)的下表面突出。冷却器(11)具有开口(12)。从树脂(10)突出的冷却片(9)插入冷却器(11)的开口(12)。树脂(10)的下表面和冷却器(11)通过粘接材料等接合材料(13)而接合。由此，能够实现部件数量削减·轻量化，并且兼顾热传导性和接合强度。

公开(公告)号：CN104126225A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280069780.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫本昇 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/40 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 冷却片(9)与半导体元件(1)的下表面接合。树脂(10)对半导体元件(1)进行封装。冷却片(9)的一部分从树脂(10)的下表面突出。冷却器(11)具有开口(12)。从树脂(10)突出的冷却片(9)插入冷却器(11)的开口(12)。树脂(10)的下表面和冷却器(11)通过粘接材料等接合材料(13)而接合。由此，能够实现部件数量削减·轻量化，并且兼顾热传导性和接合强度。

公开(公告)号：CN102047414B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980119003.4

申请日：2009-06-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三井贵夫 ,  芳原弘行 ,  木村享 ,  菊池正雄 ,  五藤洋一

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 具备：搭载了至少电力半导体元件(10)的基底板(12)；以使包括基底板的搭载电力半导体元件的面的相反侧的面的基底板的一部分的表面露出的状态，对基底板和电力半导体元件进行模塑的树脂(15)；通过按压力与基底板接合的散热片(16)，在基底板(12)的散热片接合部中形成槽(14)，将散热片(16)挤缝接合到槽(14)的电力半导体电路装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1988330A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610163965.8

申请日：2006-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 芳原弘行 ,  菊池正雄 ,  加藤政纪 ,  浅尾淑人

IPC: H02K11/00

CPC classification number: H02K11/046 ,  H02K11/33

Abstract: 本发明使得将逆变器组成一体的旋转电机的控制装置小型化，同时降低生产成本。是将控制旋转电机输出用的逆变器与旋转电机形成一体化的结构，构成逆变器的控制装置(14)由开关元件(16)以及散热器(17)组成，开关元件(16)的漏极端(16a)直接与散热器(17)接合，同时源极端(16b)及栅极端(16c)与设置在连接构件(19)上的金属图形(42)接合。