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公开(公告)号：CN110036476B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201680091343.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简易的结构而对在将结构部件进行封装的树脂的内部产生气泡进行了抑制的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：导电层(11)，其配置于绝缘基板(1)之上；第1半导体元件以及第2半导体元件，它们彼此隔开间隙而接合于导电层(11)的与所述绝缘基板(1)相反侧的面；电极部件(21)，其横跨间隙而接合于第1半导体元件的与导电层(11)相反侧的面以及第2半导体元件的与导电层(11)相反侧的面；以及树脂(2)，其将导电层(11)、第1半导体元件、第2半导体元件以及电极部件(21)进行封装，在导电层(11)的与绝缘基板(1)相反侧的对应于间隙的面，沿着间隙而形成有凹状图案(4)。
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公开(公告)号：CN110854078B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910683205.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白尾明稔
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。在向内含半导体元件以及导线的区域填充封装材料的状况下，抑制气泡产生。半导体装置(100)具备将内含半导体元件(S1)以及导线(W1)的区域(Rg1b)包围的壳体(Cs1)。在壳体(Cs1)设置有用于向区域(Rg1b)排出封装材料(4)的s(比k大且大于或等于3的整数)个排出路径(H1a)。以在俯视观察时s个排出路径(H1a)包围区域(Rg1b)的方式设置该s个排出路径(H1a)。在俯视观察时，s个排出路径(H1a)设置为漩涡状。
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公开(公告)号：CN114566469A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111388732.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白尾明稔
Abstract: 本发明涉及半导体模块及半导体模块的制造方法。提供能够对通过封装材料进行封装时的封装材料的未填充部的产生进行抑制的半导体模块。在半导体模块的一个方式中，芯片台下侧的封装材料比半导体元件上侧的封装材料薄，芯片台下侧的封装材料比第2引线下侧的封装材料薄，在第1引线中的被封装材料封装的区域，设置有在第1引线形成上下方向的台阶的弯曲部，通过台阶，台阶的具有芯片台的一侧与台阶的没有芯片台的一侧相比位于下侧，第1引线的台阶的没有芯片台的一侧从封装材料的一端侧凸出，第2引线从封装材料的与一端侧相反一侧凸出，在第1引线的弯曲部的上侧表面、下侧表面或这两者设置有槽。
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公开(公告)号：CN110854078A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910683205.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白尾明稔
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。在向内含半导体元件以及导线的区域填充封装材料的状况下，抑制气泡产生。半导体装置(100)具备将内含半导体元件(S1)以及导线(W1)的区域(Rg1b)包围的壳体(Cs1)。在壳体(Cs1)设置有用于向区域(Rg1b)排出封装材料(4)的s(比k大且大于或等于3的整数)个排出路径(H1a)。以在俯视观察时s个排出路径(H1a)包围区域(Rg1b)的方式设置该s个排出路径(H1a)。在俯视观察时，s个排出路径(H1a)设置为漩涡状。
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公开(公告)号：CN110036476A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680091343.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简易的结构而对在将结构部件进行封装的树脂的内部产生气泡进行了抑制的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：导电层(11)，其配置于绝缘基板(1)之上；第1半导体元件以及第2半导体元件，它们彼此隔开间隙而接合于导电层(11)的与所述绝缘基板(1)相反侧的面；电极部件(21)，其横跨间隙而接合于第1半导体元件的与导电层(11)相反侧的面以及第2半导体元件的与导电层(11)相反侧的面；以及树脂(2)，其将导电层(11)、第1半导体元件、第2半导体元件以及电极部件(21)进行封装，在导电层(11)的与绝缘基板(1)相反侧的对应于间隙的面，沿着间隙而形成有凹状图案(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514599B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080069138.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。
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公开(公告)号：CN118163290A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311634274.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白尾明稔
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够提高可靠性的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：从模具的第1浇口注入封装材料，向型腔和封装材料蓄积部的至少一部分填充封装材料，该模具具有载置有电气电路的型腔、在型腔设置的第1浇口和第2浇口、设置于型腔的外侧且与第2浇口连接的封装材料蓄积部；以及使填充于封装材料蓄积部的封装材料经由第2浇口而回流至型腔。
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公开(公告)号：CN111243969B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201911156210.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供适合于缩短半导体装置的制造所需的时间的半导体装置的制造方法、半导体装置及电力变换装置。具有以下工序：向壳体中提供半导体芯片、端子、具有金属图案的绝缘基板以及涂敷于该半导体芯片的烧结材料；提供由设置于该壳体中的格子进行支撑的颗粒状的多个封装树脂；通过将该壳体的内部加热至比室温高的第1温度，从而气化后的该烧结材料的溶剂从该格子的间隙和该多个封装树脂的间隙向该壳体之外排出；以及通过将该壳体的内部加热至比该第1温度高的第2温度，从而熔化后的该多个封装树脂穿过该格子的间隙而成为覆盖该半导体芯片的树脂层。
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公开(公告)号：CN114514599A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080069138.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。
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公开(公告)号：CN111243969A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911156210.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供适合于缩短半导体装置的制造所需的时间的半导体装置的制造方法、半导体装置及电力变换装置。具有以下工序：向壳体中提供半导体芯片、端子、具有金属图案的绝缘基板以及涂敷于该半导体芯片的烧结材料；提供由设置于该壳体中的格子进行支撑的颗粒状的多个封装树脂；通过将该壳体的内部加热至比室温高的第1温度，从而气化后的该烧结材料的溶剂从该格子的间隙和该多个封装树脂的间隙向该壳体之外排出；以及通过将该壳体的内部加热至比该第1温度高的第2温度，从而熔化后的该多个封装树脂穿过该格子的间隙而成为覆盖该半导体芯片的树脂层。
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