公开(公告)号：CN106663639B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201480081620.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠 ,  柳本辰则 ,  新井规由

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及电极端子(6)及半导体元件，它们与导电性图案(4b)接合，电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，进行超声波接合的部位为多个。

公开(公告)号：CN106663639A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480081620.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠 ,  柳本辰则 ,  新井规由

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及电极端子(6)及半导体元件，它们与导电性图案(4b)接合，电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，进行超声波接合的部位为多个。

公开(公告)号：CN109247048B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201680085029.1

申请日：2016-05-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠 ,  齐藤升太

IPC: H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 半导体模块(100a)的P侧基板(3p)及半导体模块(100b)的N侧基板(3n)在俯视观察中沿与方向(Dr1)交叉的交叉线段Lx2相邻地配置。在P侧基板(3p)设置有电路(Cr1a)。在N侧基板(3n)设置有电路(Cr1b)。电路(Cr1a)在电路(Cr1b)进行驱动时，不进行驱动。电路(Cr1b)在电路(Cr1a)进行驱动时，不进行驱动。

公开(公告)号：CN113491059A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201980093224.2

申请日：2019-03-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠

IPC: H02M1/00 ,  G01R31/26 ,  H02M7/48

Abstract: 提供用于提高半导体装置的劣化诊断的精度的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：壳体(10)；壳体内部的半导体芯片(2、3)；金属导线(7)，其与半导体芯片的上表面接合；壳体内部的至少1个试验件(13‑13E)；以及一对端子(14‑14E、15‑15E)，其设置于壳体的外部，并且与试验件连接，试验件在壳体的内部与金属导线(7)分离。

公开(公告)号：CN113491059B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980093224.2

申请日：2019-03-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠

IPC: H02M1/00 ,  G01R31/26 ,  H02M7/48

Abstract: 提供用于提高半导体装置的劣化诊断的精度的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：壳体(10)；壳体内部的半导体芯片(2、3)；金属导线(7)，其与半导体芯片的上表面接合；壳体内部的至少1个试验件(13‑13E)；以及一对端子(14‑14E、15‑15E)，其设置于壳体的外部，并且与试验件连接，试验件在壳体的内部与金属导线(7)分离。

公开(公告)号：CN109247048A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201680085029.1

申请日：2016-05-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北岛由美惠 ,  齐藤升太

IPC: H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 半导体模块(100a)的P侧基板(3p)及半导体模块(100b)的N侧基板(3n)在俯视观察中沿与方向(Dr1)交叉的交叉线段Lx2相邻地配置。在P侧基板(3p)设置有电路(Cr1a)。在N侧基板(3n)设置有电路(Cr1b)。电路(Cr1a)在电路(Cr1b)进行驱动时，不进行驱动。电路(Cr1b)在电路(Cr1a)进行驱动时，不进行驱动。