公开(公告)号：CN107112318A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071608.6

申请日：2015-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福本晃久 ,  根岸哲 ,  山本圭 ,  筱原利彰 ,  西川和康

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 功率模块(PM)具备功率半导体元件(4)、布线材料(2)、电路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封树脂(1)。以从位于功率半导体元件(4)与布线材料(2)之间的接合材料(5)的端面起遍及位于该端面和与该端面隔开距离的布线材料(2)的规定部位之间的布线材料(2)的表面的方式，在接合材料(5)的端面以及布线材料(2)的表面与密封树脂(1)之间连续地形成有间隙部(3)。

公开(公告)号：CN104823379A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201280077497.6

申请日：2012-12-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 诸熊健一 ,  富泽淳 ,  西川和康

IPC: H03K17/725

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F2038/143 ,  H03K3/0377 ,  H03K5/1534 ,  H03K5/26 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0093 ,  H04L25/0268

Abstract: 具备：发送电路(1)，使每当发送数据的逻辑值变化时根据该逻辑值变化而正负的极性交替反转的脉冲形状的电流信号在发送线圈中流过；以及接收电路(4)，输入通过在发送线圈(1)中流过的电流信号而在接收线圈(3)中感应的正负的双极性的双重脉冲的感应电压信号而对发送数据进行解调，接收电路(4)具备：放大器(8)，对在接收线圈(3)中感应的双重脉冲的感应电压信号进行放大；以及信号生成部(9、11、21)，如果检测到在由放大器(8)放大了的双重脉冲的感应电压信号中的前半的单个脉冲，则与其对应地设定针对后半的单个脉冲的不灵敏期间而仅根据前半的单个脉冲生成与发送数据对应的输出信号。

公开(公告)号：CN107112318B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580071608.6

申请日：2015-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福本晃久 ,  根岸哲 ,  山本圭 ,  筱原利彰 ,  西川和康

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 功率模块(PM)具备功率半导体元件(4)、布线材料(2)、电路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封树脂(1)。以从位于功率半导体元件(4)与布线材料(2)之间的接合材料(5)的端面起遍及位于该端面和与该端面隔开距离的布线材料(2)的规定部位之间的布线材料(2)的表面的方式，在接合材料(5)的端面以及布线材料(2)的表面与密封树脂(1)之间连续地形成有间隙部(3)。

公开(公告)号：CN108475666A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079449.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  曾田真之介 ,  太田成人 ,  西川和康 ,  福本晃久

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L2224/32225

Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。

公开(公告)号：CN101267193A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710300950.6

申请日：2007-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富泽淳 ,  西川和康

IPC: H03K5/08 ,  H03F3/45 ,  H03F3/34 ,  H03F1/30 ,  H03M1/34 ,  H03M1/36 ,  H03M1/44

CPC classification number: H03K3/35613 ,  H03K5/2481 ,  H03K5/249

Abstract: 本发明提供一种进行电压比较，防止电压比较精度恶化的半导体集成电路，该半导体集成电路(101)具备：接收第1输入电压以及第2输入电压的差动放大电路(A1)；通过对经由第1电容器(C1P)从差动放大电路(A1)的第1输出端子接收到的电压以及经由第2电容器(C1N)从差动放大电路(A1)的第2输出端子接收到的电压进行比较，输出表示第1输入电压以及第2输入电压的比较结果的数字信号的闩锁电路(U1)；具有与第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及与第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第2端子的第3电容器(CZ1)。

公开(公告)号：CN108475666B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201680079449.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  曾田真之介 ,  太田成人 ,  西川和康 ,  福本晃久

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。

公开(公告)号：CN102741659B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080062967.2

申请日：2010-11-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 塚本学 ,  西川和康 ,  德永隆志 ,  岛内英树 ,  馆沼义范 ,  川野裕司 ,  小林浩

IPC: G01D5/244

CPC classification number: G01D5/2448 ,  G01D1/00 ,  G01R1/00 ,  H02P1/00 ,  H02P2201/00 ,  H02P2203/00

Abstract: 差动放大器（21）根据来自旋转检测电路（30）的旋转检测信号（Vde）和偏置信号（Voff），生成偏置校正信号（Vadj）。比较器（28）通过将偏置校正信号（Vadj）与阈值电压（Vth1）进行比较，输出表示比较结果的2值化信号（Vbi）。平均值信号生成电路（2）生成表示偏置校正信号（Vadj）的平均值的平均值信号（Vav）。偏置信号生成电路（3）以使平均值信号（Vav）的信号电压具有阈值电压（Vc1）与阈值电压（Vc2）之间的电压值的方式，生成偏置信号（Voff）。

公开(公告)号：CN103681522A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310423624.X

申请日：2013-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃 ,  横山吉典 ,  藤田淳 ,  远藤加寿代 ,  曾田真之介 ,  西川和康

IPC: H01L23/08

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L29/78 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。

公开(公告)号：CN1666342A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815283.5

申请日：2003-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西川和康 ,  桥诘靖之

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，其中具有：在半导体基板(10)上螺旋状地形成导体布线的电感器(1)；以及由沿着电感器(1)的螺旋图形的外周设置的、其一部分被开放的连续导体布线构成的、与接地电位电连接的屏蔽(6a)。

公开(公告)号：CN1639812A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804558.3

申请日：2003-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 桥诘靖之 ,  西川和康

IPC: H01F17/00

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F27/34 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/008 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 螺旋电感器在螺旋配线与下穿配线交叉的部分将形成螺旋配线的导电膜层中的至少1层用于下穿配线的形成，由较少的导电膜数形成的交叉部分的螺旋配线的宽度比由较多的导电膜数形成的不交叉的部分的螺旋配线大。