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公开(公告)号：CN100440533C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610073541.2
申请日：2006-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/43
CPC classification number: H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/42316
Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。
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公开(公告)号：CN107210228B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN103545281B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310288288.2
申请日：2013-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
CPC classification number: H01L27/08 , H01L23/4824 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0207 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05554 , H01L2224/0612 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49 , H01L2924/16195 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到不必增加封装件的尺寸，且不必使特性与可靠性劣化就能够提高输出的半导体装置。封装件（1）内设有输入匹配电路（4）与输出匹配电路（5）。在封装件（1）内，输入匹配电路（4）与输出匹配电路（5）之间设有多个晶体管芯片（6）。各晶体管芯片（6）具备：具有长边与比长边短的短边的四边形的半导体衬底（8）；和半导体衬底（8）上分别设置的栅极电极（9）、漏极电极（10）以及源极电极（11）。栅极电极（9）具备：沿半导体衬底（8）的长边方向排列的多个栅极指（9a）；和共同连接到多个栅极指（9a）并且用电线连接到输入匹配电路（4）的栅极焊盘（9b）。漏极电极（10）用电线连接于输出匹配电路（5）。多个晶体管芯片（6）的半导体衬底（8）的长边，从输入匹配电路（4）向着输出匹配电路（5）的输入输出方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101958321B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010226934.9
申请日：2010-07-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/04 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/4238 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。
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公开(公告)号：CN101170300A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958321A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010226934.9
申请日：2010-07-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/04 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/4238 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。
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公开(公告)号：CN1855530A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073541.2
申请日：2006-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/43
CPC classification number: H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/42316
Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。
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公开(公告)号：CN107210228A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN103545281A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310288288.2
申请日：2013-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
CPC classification number: H01L27/08 , H01L23/4824 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0207 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05554 , H01L2224/0612 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49 , H01L2924/16195 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到不必增加封装件的尺寸，且不必使特性与可靠性劣化就能够提高输出的半导体装置。封装件（1）内设有输入匹配电路（4）与输出匹配电路（5）。在封装件（1）内，输入匹配电路（4）与输出匹配电路（5）之间设有多个晶体管芯片（6）。各晶体管芯片（6）具备：具有长边与比长边短的短边的四边形的半导体衬底（8）；和半导体衬底（8）上分别设置的栅极电极（9）、漏极电极（10）以及源极电极（11）。栅极电极（9）具备：沿半导体衬底（8）的长边方向排列的多个栅极指（9a）；和共同连接到多个栅极指（9a）并且用电线连接到输入匹配电路（4）的栅极焊盘（9b）。漏极电极（10）用电线连接于输出匹配电路（5）。多个晶体管芯片（6）的半导体衬底（8）的长边，从输入匹配电路（4）向着输出匹配电路（5）的输入输出方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101170300B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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