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公开(公告)号：CN107492787A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN104124220A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410164661.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/0485 , H01L21/283 , H01L21/445 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供能够在衬底面上形成没有外观异常的导电膜的半导体元件以及该半导体元件的制造方法。其特征在于，包括：六方晶系且衬底面为（0001）面的衬底（10）；和在该衬底面上形成的多个导电膜（12）。该多个导电膜包括：第一导电膜（14），晶体结构为不拥有与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；以及第二导电膜（16），形成于该第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，该第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶。
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公开(公告)号：CN112189251A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201880093695.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 前田和弘
IPC: H01L21/301
Abstract: 在半导体基板(1)的主面之上形成覆盖半导体器件(5)及半导体基板(1)的切割线(7)的树脂膜(8)，以不除去切割线(7)之上的树脂膜(8)的方式除去第1电极(2)周围的树脂膜(8)、除去第2电极(3、4)之上的树脂膜(8)而形成第1接触孔(9)。将树脂薄膜(11)粘贴于树脂膜(8)的上表面而在第1电极(2)周围形成中空构造(12)。将树脂薄膜(11)图案化，同时形成与第1接触孔(9)连接的第2接触孔(13)和切割线(7)上方的第1开口(14)。在形成了第1开口(14)后沿切割线(7)对半导体基板(1)进行切割。
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公开(公告)号：CN110476231A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780089183.0
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有多指晶体管，该多指晶体管具有多个控制电极(2)、多个第1电极(3)及多个第2电极(4)。树脂膜(14、15)覆盖晶体管。在树脂膜(14、15)之上形成有将多个第1电极(3)彼此电连接的第1配线(8)。树脂膜(14、15)覆盖第1配线(8)和多个第1电极(3)的接触部分。在多个控制电极(2)及多个第2电极(4)周围形成有由树脂膜(14、15)密闭的中空构造(16)。
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公开(公告)号：CN120015740A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510165751.7
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H10D64/27 , H10D64/23 , H10D30/47
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有多指晶体管，该多指晶体管具有多个控制电极(2)、多个第1电极(3)及多个第2电极(4)。树脂膜(14、15)覆盖晶体管。在树脂膜(14、15)之上形成有将多个第1电极(3)彼此电连接的第1配线(8)。树脂膜(14、15)覆盖第1配线(8)和多个第1电极(3)的接触部分。在多个控制电极(2)及多个第2电极(4)周围形成有由树脂膜(14、15)密闭的中空构造(16)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124220B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410164661.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/0485 , H01L21/283 , H01L21/445 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供能够在衬底面上形成没有外观异常的导电膜的半导体元件以及该半导体元件的制造方法。其特征在于，包括：六方晶系且衬底面为（0001）面的衬底（10）；和在该衬底面上形成的多个导电膜（12）。该多个导电膜包括：第一导电膜（14），晶体结构为不拥有与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；以及第二导电膜（16），形成于该第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，该第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶。
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公开(公告)号：CN107492787B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN115298915B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080098451.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的光半导体元件具备：基板(11)；第1脊(12)，形成于基板(11)之上，从下方开始依次具有第1第1导电型包覆层(13)、第1芯层(14)、第1第2导电型包覆层(15)、以及第1接触层(16)，并在两侧配置有第1脊沟(18)；以及第1电极(20)，在第1脊(12)之上与第1接触层(16)接触，不扩展至第1脊沟(18)，并包含第1焊锡层(21)。
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公开(公告)号：CN112189251B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201880093695.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 前田和弘
IPC: H01L21/301
Abstract: 在半导体基板(1)的主面之上形成覆盖半导体器件(5)及半导体基板(1)的切割线(7)的树脂膜(8)，以不除去切割线(7)之上的树脂膜(8)的方式除去第1电极(2)周围的树脂膜(8)、除去第2电极(3、4)之上的树脂膜(8)而形成第1接触孔(9)。将树脂薄膜(11)粘贴于树脂膜(8)的上表面而在第1电极(2)周围形成中空构造(12)。将树脂薄膜(11)图案化，同时形成与第1接触孔(9)连接的第2接触孔(13)和切割线(7)上方的第1开口(14)。在形成了第1开口(14)后沿切割线(7)对半导体基板(1)进行切割。
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