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公开(公告)号：CN104779519A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510011808.4
申请日：2015-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3026 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/24585 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/12 , H01S5/3054 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有：第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。
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公开(公告)号：CN107492787A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN107492787B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN104779519B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510011808.4
申请日：2015-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3026 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/24585 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/12 , H01S5/3054 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有：第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。
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