公开(公告)号：CN111684344B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201880088214.5

申请日：2018-10-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀口裕一郎 ,  西川智志 ,  秋山浩一 ,  福永圭吾 ,  外间洋平 ,  铃木洋介

IPC: G02F1/025

Abstract: 具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。

公开(公告)号：CN110087820A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780076986.2

申请日：2017-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永圭吾 ,  松村民雄

IPC: B23K26/122 ,  B23K26/142 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工装置(1)具备：构成为能够保持被加工物(2)的保持部(10)、头部(50)、第一喷嘴(54)及驱动部(29)。头部(50)构成为能够使激光向被加工物(2)的主面(3)的第一部分(82)照射。第一喷嘴(54)构成为能够向第一部分(82)供给第一液体(73)。驱动部(29)构成为能够驱动保持部(10)，以使被加工物(2)能够以第一部分(82)处的激光(62)的光轴(25)为中心进行环绕运动。因此，能够高效地加工被加工物(2)，并且能够防止被加工物(2)的碎屑附着于被加工物(2)的主面(3)。

公开(公告)号：CN110087820B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201780076986.2

申请日：2017-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永圭吾 ,  松村民雄

IPC: B23K26/122 ,  B23K26/142 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工装置(1)具备：构成为能够保持被加工物(2)的保持部(10)、头部(50)、第一喷嘴(54)及驱动部(29)。头部(50)构成为能够使激光向被加工物(2)的主面(3)的第一部分(82)照射。第一喷嘴(54)构成为能够向第一部分(82)供给第一液体(73)。驱动部(29)构成为能够驱动保持部(10)，以使被加工物(2)能够以第一部分(82)处的激光(62)的光轴(25)为中心进行环绕运动。因此，能够高效地加工被加工物(2)，并且能够防止被加工物(2)的碎屑附着于被加工物(2)的主面(3)。

公开(公告)号：CN111684344A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088214.5

申请日：2018-10-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀口裕一郎 ,  西川智志 ,  秋山浩一 ,  福永圭吾 ,  外间洋平 ,  铃木洋介

IPC: G02F1/025

Abstract: 具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。

公开(公告)号：CN110914745A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880040231.1

申请日：2018-08-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永圭吾 ,  堀口裕一郎 ,  前田和弘 ,  津波大介

IPC: G02F1/025

Abstract: 包括：在半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；对所述层进行蚀刻而形成台面结构的工序；形成绝缘膜而将台面结构覆盖的工序；将绝缘膜的膜厚减少至接触层的上表面露出为止，将残留的绝缘膜作为侧壁的工序；形成电介质树脂层而埋入台面结构及侧壁的工序；对电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成开口部，使接触层的上表面露出的工序；在开口部内形成电极的工序。