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公开(公告)号：CN110087820B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201780076986.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23K26/122 , B23K26/142 , H01L21/301
Abstract: 激光加工装置(1)具备：构成为能够保持被加工物(2)的保持部(10)、头部(50)、第一喷嘴(54)及驱动部(29)。头部(50)构成为能够使激光向被加工物(2)的主面(3)的第一部分(82)照射。第一喷嘴(54)构成为能够向第一部分(82)供给第一液体(73)。驱动部(29)构成为能够驱动保持部(10)，以使被加工物(2)能够以第一部分(82)处的激光(62)的光轴(25)为中心进行环绕运动。因此，能够高效地加工被加工物(2)，并且能够防止被加工物(2)的碎屑附着于被加工物(2)的主面(3)。
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公开(公告)号：CN109768006A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811307256.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明涉及晶片容器。将对晶片进行保持的托盘牢固地固定于壳体。晶片载具壳体(Cs1)包含：作为盖的壳体(Cs1a)；以及壳体(Cs1b)，其对壳体(Cs1a)进行支撑。在壳体(Cs1a)设置有晶片按压部(X1)。晶片按压部(X1)对晶片托盘(Tr1)的一部分进行按压，以使对晶片W1进行保持的晶片托盘(Tr1)经由晶片载具(Cr1)而固定于壳体(Cs1b)。
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公开(公告)号：CN119327641A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410926778.9
申请日：2024-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松村民雄
Abstract: 本发明提供使射出的气体的飞散量比以往少的清洗喷嘴、清洗装置以及半导体元件的制造方法。清洗喷嘴具备：混相流体喷嘴，该混相流体喷嘴从混相流体喷嘴射出口射出混相流体，其中，该混相流体包含含有水分子的气体和含有水分子的液体；以及外周喷嘴，该外周喷嘴射出液体，具有包围混相流体喷嘴射出口的外周喷嘴射出口。因此，能够得到使射出的气体的飞散量比以往少的清洗喷嘴。另外，半导体元件的制造方法包括：将半导体基板搭载于工作台的搭载工序；以及将半导体基板的磨削面通过上述清洗喷嘴来进行清洗的清洗工序。因此，能够使射出的气体的飞散量比以往少且得到半导体元件。
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公开(公告)号：CN106796874B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201480082590.5
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B7/228 , B24B27/0023 , B24B49/12 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 作为第1磨削工序，由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的外周部进行磨削而在外周部形成破碎层(19)。然后，作为第2磨削工序，将形成了破碎层(19)的外周部作为肋部(20)保留，并且由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的中央部进行磨削而形成凹部(21)。然后，作为第3磨削工序，使用与第1磨石(17)相比磨粒粒径小的第2磨石(22)对凹部(21)的底面进行磨削而将晶片(1)薄化。
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公开(公告)号：CN104170063A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280071368.6
申请日：2012-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松村民雄
IPC: H01L21/301 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在切割时抑制切割胶带的破损的真空吸附台以及利用它的半导体晶片的切割方法。并且，目的还在于提供一种利用该真空吸附台的半导体晶片的退火方法，其中，该真空吸附台抑制磨削保护胶带的发泡。本发明的真空吸附台具有载置半导体晶片(6)的载置面(1a)，在载置面(1a)中，仅在半导体晶片(6)的芯片区域(6a)的外周形成真空吸附孔(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223890B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202210389126.7
申请日：2022-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及检查装置、半导体基板的检查方法、半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法。提供适用于对半导体基板是否具有贯通孔进行检查的检查装置。检查装置对半导体基板进行检查，该检查装置具有工作台、第1环和第2环，在工作台的上表面设置有第1凹部，第1凹部在俯视观察时具有环状的形状，第1环是弹性体，第1环配置于第1凹部，第2环将第1环向环状的形状的内侧的方向按压而将第1环按压于第1凹部的侧面中的内侧的侧面，与工作台的上表面相比，第1环凸出至上侧，在工作台设置有排气孔，该排气孔在工作台的上表面中的俯视观察时被第1凹部包围的区域具有开口，通过经过排气孔的排气而对在第1环之上载置的半导体基板进行真空吸附。
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公开(公告)号：CN118385757A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410073650.2
申请日：2024-01-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 激光加工装置(100、200、300、400)具备：具有晶片保持面(20a)的工作台(20)；激光照射机构(40)；以及喷嘴(50)。将具有第一面(10a)以及作为第一面的相反面的第二面(10b)的半导体晶片(10)以使得晶片保持面与第二面对置的方式配置在晶片保持面上。激光照射机构从第一面侧照射激光(L)。喷嘴(50)从第二面侧供给液体(51)。
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公开(公告)号：CN102956469B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210304578.7
申请日：2012-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制缺口的产生而对晶片进行研磨的半导体元件的制造方法。本申请发明的半导体元件的制造方法的特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和该研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与该晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被该斜面包围的部分形成比该外周部薄的薄化部；在该薄化部形成半导体元件的工序。
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公开(公告)号：CN110087820A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780076986.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23K26/122 , B23K26/142 , H01L21/301
Abstract: 激光加工装置(1)具备：构成为能够保持被加工物(2)的保持部(10)、头部(50)、第一喷嘴(54)及驱动部(29)。头部(50)构成为能够使激光向被加工物(2)的主面(3)的第一部分(82)照射。第一喷嘴(54)构成为能够向第一部分(82)供给第一液体(73)。驱动部(29)构成为能够驱动保持部(10)，以使被加工物(2)能够以第一部分(82)处的激光(62)的光轴(25)为中心进行环绕运动。因此，能够高效地加工被加工物(2)，并且能够防止被加工物(2)的碎屑附着于被加工物(2)的主面(3)。
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公开(公告)号：CN108701639A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083299.9
申请日：2016-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 松村民雄
IPC: H01L21/683
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/142 , B23K2101/18 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/6838 , H01L21/68792
Abstract: 基板吸附台的特征在于，具备：基板支撑部，其具有上表面，在基板支撑部的内部形成有空腔，在基板支撑部，形成有从该空腔至该上表面的喷出孔，形成有将该喷出孔与该上表面连接的吸附孔；以及气体供给部，其将气体供给至该空腔之中，在俯视观察时该喷出孔将该吸附孔包围，如果向该空腔供给气体，则该吸附孔的气体经由该喷出孔排出至外部。
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