公开(公告)号：CN103811337A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310558981.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28264

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，能够利用简单的方法降低对基板的损伤并且能够使电极的宽度变短。在形成于基板（10）的半导体层（10a）上形成第一层（12），在该第一层上形成第二层（14），在该第二层的上方形成被构图后的掩模（16），对该第二层的未被该掩模覆盖的部分进行刻蚀，实施对该第一层进行湿法刻蚀而使该第一层的宽度比该掩模的宽度短的湿法刻蚀工序，在该湿法刻蚀工序之后，在该半导体层上形成绝缘层（20），将该第一层（12A）和该第二层（14A）除去，在该绝缘层形成开口（20A），在该半导体层的表面的从该开口露出的部分形成电极（22A）。该第一层（12）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比该第二层（14）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

公开(公告)号：CN107275290A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710224619.4

申请日：2017-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/13 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/6644 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/408 ,  H01L23/13 ,  H01L27/0207

Abstract: 得到一种能够将芯片面积缩小而削减芯片成本的半导体装置。半导体基板(1)的外形为五边形。前级放大器(4)形成于半导体基板(1)的五边形的1个顶点(2a)侧。对前级放大器(4)的输出进行放大的后级放大器(5、6)形成于半导体基板(1)的与顶点(2a)相对的边(3a)侧。

公开(公告)号：CN102832132A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210191772.9

申请日：2012-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/778 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。在对于可见光透明的半导体基板（1）的表面形成源极电极（2）以及漏极电极（3）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间形成表面侧栅极电极（4）。在半导体基板（1）的表面，在源极电极（2）和漏极电极（3）之间以外的区域形成对准标记（5）。基于能够透过半导体基板（1）观察到的对准标记（5），对半导体基板（1）进行对位，在半导体基板（1）的背面，在与表面侧栅极电极（4）对置的位置形成背面侧栅极电极（6）。

公开(公告)号：CN111742377B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880090042.5

申请日：2018-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: G21F7/00

Abstract: 电子部件装置具有：框体，其由如果接收到放射线则产生电荷而使放射线的能量丧失的部件形成；以及电子部件，其收容于框体。上述部件是具有PN结的半导体元件部件。电子部件具有与电源连接的电源端子和与接地连接的接地端子。也可以是框体的第一部位与将电源和电源端子连结的电气路径连接，框体的第二部位与将接地和接地端子连结的电气路径连接。也可以还具有电源控制电路，该电源控制电路在大于或等于预先确定的判定值的大小的电流流过框体时，使从电源向电子部件供给的电源电压降低。

公开(公告)号：CN104465770A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410489794.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  加茂宣卓 ,  野上洋一 ,  小山英寿 ,  宫国晋一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。

公开(公告)号：CN101281931A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710193300.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓 ,  志贺俊彦

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。

公开(公告)号：CN103811337B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310558981.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 仓桥健一郎 ,  加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置的制造方法，能够利用简单的方法降低对基板的损伤并且能够使电极的宽度变短。在形成于基板（10）的半导体层（10a）上形成第一层（12），在该第一层上形成第二层（14），在该第二层的上方形成被构图后的掩模（16），对该第二层的未被该掩模覆盖的部分进行刻蚀，实施对该第一层进行湿法刻蚀而使该第一层的宽度比该掩模的宽度短的湿法刻蚀工序，在该湿法刻蚀工序之后，在该半导体层上形成绝缘层（20），将该第一层（12A）和该第二层（14A）除去，在该绝缘层形成开口（20A），在该半导体层的表面的从该开口露出的部分形成电极（22A）。该第一层（12）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比该第二层（14）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

公开(公告)号：CN106531791A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827160.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  北野俊明 ,  加茂宣卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化

公开(公告)号：CN103531587A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310276288.0

申请日：2013-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，能够在不使散热性恶化的情况下使装置整体的横向宽度缩短，并且，能够使各晶体管的特性均一。半导体衬底（1）由4H-SiC、6H-SiC、GaN、蓝宝石、ZnO、AlN、BeO等六方晶体构成。在该半导体衬底（1）的c面上设置有晶体管（2）、（3）。晶体管（2）、（3）的源极电极（4）、漏极电极（5）以及栅极电极（6）分别连接。在从与半导体衬底（1）的c面垂直的方向观察的俯视图中，晶体管（2）、（3）的栅极电极（6）彼此所成的角度是60度或120度。

公开(公告)号：CN101281931B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710193300.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山英寿 ,  加茂宣卓 ,  志贺俊彦

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。