公开(公告)号：CN114556529B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。

公开(公告)号：CN114556529A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。

公开(公告)号：CN104465770A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410489794.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  加茂宣卓 ,  野上洋一 ,  小山英寿 ,  宫国晋一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。