公开(公告)号：CN114556529A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。

公开(公告)号：CN114556529B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。

公开(公告)号：CN118805311A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202280081927.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明涉及半导体激光器。化合物半导体多层膜(2－4)形成于化合物半导体基板(1)之上，具有脊状的条带(5)和作为相对于条带(5)的长边方向垂直的劈开面的谐振器端面(6)。第1Au电极(8)在条带(5)之上形成至谐振器端面(6)。第2Au电极(9)在第1Au电极(8)之上形成于除了与谐振器端面(6)邻接的区域以外的区域。硬度比Au高的金属层(10)在与谐振器端面(6)邻接的区域中形成于第1Au电极(8)之上。涂覆膜(12)形成于谐振器端面(6)。