公开(公告)号：CN114556529B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。

公开(公告)号：CN114556529A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101276.X

申请日：2019-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 武富优绮 ,  三木耕平 ,  宫国晋一

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。