公开(公告)号：CN103812455A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310550356.8

申请日：2013-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  北林文政 ,  间木杰 ,  福田绘理 ,  嘉藤胜也

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管（Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容（C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。

公开(公告)号：CN114270482A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201980099596.6

申请日：2019-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅田智之 ,  福田绘理 ,  津波大介

IPC: H01L21/52

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置具备：支承体；半导体芯片，设置于支承体之上；以及芯片接合材料，将半导体芯片的背面与支承体接合，在半导体芯片的背面和与背面相连的侧面所形成的角，形成有多个切口，芯片接合材料遍及多个切口而设置为一体。

公开(公告)号：CN107026623B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201710024873.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 嘉藤胜也 ,  小坂尚希 ,  福田绘理 ,  藤原茂 ,  冈村笃司 ,  长明健一郎

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/45

Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。

公开(公告)号：CN107026623A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710024873.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 嘉藤胜也 ,  小坂尚希 ,  福田绘理 ,  藤原茂 ,  冈村笃司 ,  长明健一郎

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/45

Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。

公开(公告)号：CN114270482B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201980099596.6

申请日：2019-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅田智之 ,  福田绘理 ,  津波大介

IPC: H01L21/52

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置具备：支承体；半导体芯片，设置于支承体之上；以及芯片接合材料，将半导体芯片的背面与支承体接合，在半导体芯片的背面和与背面相连的侧面所形成的角，形成有多个切口，芯片接合材料遍及多个切口而设置为一体。

公开(公告)号：CN103812455B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310550356.8

申请日：2013-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  北林文政 ,  间木杰 ,  福田绘理 ,  嘉藤胜也

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: 本发明涉及共阴共栅放大器，获得能够抑制起因于布线电阻的输出功率的降低的共阴共栅放大器。晶体管Tr1a~Tr1f分别共阴共栅连接于晶体管Tr2a~Tr2f。布线（Wg1）依次连接于晶体管Tr1a~Tr1f）的栅极。并联连接的布线（Wg2、Wg3）依次连接于晶体管（Tr2a~Tr2f）的栅极。电容C1）连接在布线（Wg2）的一端与接地点之间。