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公开(公告)号：CN102811023A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210172596.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0261 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F2200/18 , H03F2200/405 , H03F2200/93
Abstract: 本发明提供一种即使在中低输出工作时也能使工作效率充分提高的功率放大器。给放大元件(Tr1、Tr2)的基极输入输入信号，并且给集电极施加集电极电压，发射极接地。偏置电路(Bias1、Bias2)给放大元件(Tr1、Tr2)的基极供给偏置电流。偏置电路(Bias1、Bias2)具有当集电极电压变得比规定的阈值低时使偏置电流降低的偏置电流降低电路(12)。
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公开(公告)号：CN103248325A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310050094.9
申请日：2013-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/30
CPC classification number: H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F1/56 , H03F3/602 , H03F2200/18 , H03F2200/411
Abstract: 本发明得到一种能够改善中低输出的失真特性的功率放大器。放大元件（Tr1）具有：被输入输入信号的基极、被施加集电极电压的集电极、以及发射极。偏置电路（Bias1）向放大元件（Tr1）的基极供给偏置电流。偏置电路（Bias1）具有晶体管（Trb1）和电容调整电路（1）。向（Trb1）的基极输入基准电压，向（Trb1）的集电极输入电源电压，（Trb1）的发射极连接于放大元件（Tr1）的基极。电容调整电路（1）当放大元件（Tr1）的集电极电压变低时使（Trb1）的基极和集电极的至少一方与接地点之间的电容值增加。
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公开(公告)号：CN103248325B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310050094.9
申请日：2013-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/30
CPC classification number: H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F1/56 , H03F3/602 , H03F2200/18 , H03F2200/411
Abstract: 本发明得到一种能够改善中低输出的失真特性的功率放大器。放大元件（Tr1）具有：被输入输入信号的基极、被施加集电极电压的集电极、以及发射极。偏置电路（Bias1）向放大元件（Tr1）的基极供给偏置电流。偏置电路（Bias1）具有晶体管（Trb1）和电容调整电路（1）。向（Trb1）的基极输入基准电压，向（Trb1）的集电极输入电源电压，（Trb1）的发射极连接于放大元件（Tr1）的基极。电容调整电路（1）当放大元件（Tr1）的集电极电压变低时使（Trb1）的基极和集电极的至少一方与接地点之间的电容值增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026623B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN107026623A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN107068623B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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公开(公告)号：CN107068623A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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公开(公告)号：CN102811023B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210172596.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0261 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F2200/18 , H03F2200/405 , H03F2200/93
Abstract: 本发明提供一种即使在中低输出工作时也能使工作效率充分提高的功率放大器。给放大元件(Tr1、Tr2)的基极输入输入信号，并且给集电极施加集电极电压，发射极接地。偏置电路(Bias1、Bias2)给放大元件(Tr1、Tr2)的基极供给偏置电流。偏置电路(Bias1、Bias2)具有当集电极电压变得比规定的阈值低时使偏置电流降低的偏置电流降低电路(12)。
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