-
公开(公告)号：CN104601124B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410601783.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/56
CPC classification number: H03F3/195 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2223/6672 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48464 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F1/56 , H03F3/604 , H03F2200/267 , H03F2200/75 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种通用性高的放大器。本申请的发明涉及的放大器的特征在于，具有：晶体管芯片(30)；匹配用芯片(16)，其具有电容器组(24)，该电容器组(24)具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；接合线(42)，其将该晶体管芯片(30)与该电容器组(24)的某1个该MIM电容器的该上部电极连接，且用于传输高频信号；以及壳体(12)，其收容该晶体管芯片(30)和该匹配用芯片(16)，多个该MIM电容器的该下部电极接地，该电容器组(24)的该MIM电容器的电容值彼此不同。
-
公开(公告)号：CN103887269A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310604642.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6655 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于通过对高频装置的馈通部附加阻抗的调节功能，从而提供能够容易地进行阻抗匹配的高频装置。具备形成于底座板(10)的主面(10a)的电介质(12)、在该电介质上形成的相互不接触的信号线(14)和岛形图案(16、17、18、19)、通过第一金属线(40)而连接于该信号线的半导体芯片(32)、和连接于该信号线的引线框(42)。
-
-
公开(公告)号：CN110622286A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090719.0
申请日：2017-05-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：晶体管芯片，其具有栅极焊盘、漏极焊盘、多个晶体管单元；匹配基板，其在表面形成有金属图案；端子，其宽度比该晶体管芯片的宽度及该匹配基板的宽度大；多个端子导线，其连接该端子和该金属图案；以及多个芯片导线，其连接该金属图案和该晶体管芯片，多个该端子导线的与该金属图案连接的部分的导线间距离比多个该端子导线的与该端子连接的部分的导线间距离大。
-
公开(公告)号：CN102916662B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210274868.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H01L21/8252 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L2223/6655 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916662A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210274868.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H01L21/8252 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L2223/6655 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。
-
公开(公告)号：CN107068623B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
-
公开(公告)号：CN107068623A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
-
公开(公告)号：CN103887269B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310604642.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6655 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于通过对高频装置的馈通部附加阻抗的调节功能，从而提供能够容易地进行阻抗匹配的高频装置。具备形成于底座板(10)的主面(10a)的电介质(12)、在该电介质上形成的相互不接触的信号线(14)和岛形图案(16、17、18、19)、通过第一金属线(40)而连接于该信号线的半导体芯片(32)、和连接于该信号线的引线框(42)。
-
公开(公告)号：CN107070439B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610946484.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/78
Abstract: 得到一种半导体装置，其能够实现稳定性和低消耗电力这两者。耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.021 seconds)
