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公开(公告)号：CN110521114B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780088847.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 本发明具备：第1半导体芯片，其形成有场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；第2半导体芯片，其具有直流地连接的输入端子和输出端子，第2半导体芯片具有与输入端子和接地用端子连接的第1电容器；第1电感，其连接在输出端子与栅极端子之间；第2电感，其第1端子与输入端子连接；第2电容器，其连接在第2电感的第2端子与接地用端子之间；保护二极管，其具有阴极、与接地用端子连接的阳极，保护二极管构成为，至少大于或等于2个沿正向串联连接；以及第3电感，其连接在阴极与第2端子之间，本发明能够以少的保护二极管的级联级数实现ESD破坏保护功能，并且抑制功率增益的下降。
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公开(公告)号：CN110622286A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090719.0
申请日：2017-05-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：晶体管芯片，其具有栅极焊盘、漏极焊盘、多个晶体管单元；匹配基板，其在表面形成有金属图案；端子，其宽度比该晶体管芯片的宽度及该匹配基板的宽度大；多个端子导线，其连接该端子和该金属图案；以及多个芯片导线，其连接该金属图案和该晶体管芯片，多个该端子导线的与该金属图案连接的部分的导线间距离比多个该端子导线的与该端子连接的部分的导线间距离大。
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公开(公告)号：CN110521114A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201780088847.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
Abstract: 本发明具备：第1半导体芯片，其形成有场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；第2半导体芯片，其具有直流地连接的输入端子和输出端子，第2半导体芯片具有与输入端子和接地用端子连接的第1电容器；第1电感，其连接在输出端子与栅极端子之间；第2电感，其第1端子与输入端子连接；第2电容器，其连接在第2电感的第2端子与接地用端子之间；保护二极管，其具有阴极、与接地用端子连接的阳极，保护二极管构成为，至少大于或等于2个沿正向串联连接；以及第3电感，其连接在阴极与第2端子之间，本发明能够以少的保护二极管的级联级数实现ESD破坏保护功能，并且抑制功率增益的下降。
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公开(公告)号：CN103367415B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310114440.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L23/34
Abstract: 本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合，而与部分(2b)接合。
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公开(公告)号：CN104518768A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410503154.2
申请日：2014-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/56 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/414 , H03F2200/429 , H03F2200/451
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103124163A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210462844.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0277 , H03F3/191 , H03F3/605 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明得到对于元件偏差、频率特性不敏感且低损耗的功率放大器。放大元件（Tr1）对从输入端子（IN）输入的输入信号进行放大。放大元件（Tr2）对放大元件（Tr1）的输出信号进行放大。放大元件（Tr2）的输出信号从输出端子（OUT）输出。在放大元件（Tr2）的输出与输出端子（OUT）之间连接有匹配电路（M3）。在放大元件（Tr1）的输出与放大元件（Tr2）的输入之间连接有开关（SW1）。开关（SW2）的一端与放大元件（Tr1）的输出连接。匹配电路（M4）的一端与开关（SW2）的其他端连接，匹配电路（M4）的其他端与放大元件（Tr2）的输出直接连接。
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公开(公告)号：CN113574797B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980094252.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
IPC: H03F3/193 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H03F3/60
Abstract: 本发明所涉及的高频半导体放大器具备：晶体管，其形成于半导体基板上，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；晶体管的输入侧基波匹配用的匹配电路；第一电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与匹配电路连接；电容，其形成于半导体基板上，一端短路；以及第二电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与电容的另一端连接。第二电感器在二倍波的频率下与电容串联谐振，且与第一电感器呈现减极性的互感，并与第一电感器形成输入侧二倍波匹配用互感电路。
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公开(公告)号：CN113574797A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094252.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
IPC: H03F3/193 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H03F3/60
Abstract: 本发明所涉及的高频半导体放大器具备：晶体管，其形成于半导体基板上，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；晶体管的输入侧基波匹配用的匹配电路；第一电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与匹配电路连接；电容，其形成于半导体基板上，一端短路；以及第二电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与电容的另一端连接。第二电感器在二倍波的频率下与电容串联谐振，且与第一电感器呈现减极性的互感，并与第一电感器形成输入侧二倍波匹配用互感电路。
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公开(公告)号：CN103124163B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210462844.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐佐木善伸
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0277 , H03F3/191 , H03F3/605 , H03F3/72 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明得到对于元件偏差、频率特性不敏感且低损耗的功率放大器。放大元件（Tr1）对从输入端子（IN）输入的输入信号进行放大。放大元件（Tr2）对放大元件（Tr1）的输出信号进行放大。放大元件（Tr2）的输出信号从输出端子（OUT）输出。在放大元件（Tr2）的输出与输出端子（OUT）之间连接有匹配电路（M3）。在放大元件（Tr1）的输出与放大元件（Tr2）的输入之间连接有开关（SW1）。开关（SW2）的一端与放大元件（Tr1）的输出连接。匹配电路（M4）的一端与开关（SW2）的其他端连接，匹配电路（M4）的其他端与放大元件（Tr2）的输出直接连接。
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公开(公告)号：CN103367415A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310114440.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L23/34
Abstract: 本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合，而与部分(2b)接合。
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