公开(公告)号：CN104518768A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410503154.2

申请日：2014-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀口健一 ,  广部正和 ,  美保谕志 ,  佐佐木善伸 ,  山本和也

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03F3/195 ,  H03F1/56 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/414 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。