公开(公告)号：CN110476353B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201780088822.1

申请日：2017-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康 ,  山本和也

IPC: H03F1/32

Abstract: 本发明涉及的二极管线性化电路呈在RF信号路径和接地之间相对于RF信号路径经由电容器而并联地装配了线性化电路芯部的结构，因此在使具有不同的增益扩展特性的多个线性化电路芯部选择性地动作时，不需要使用了FET等的开关。并且，在RF信号输入输出端子之间，也不需要用于阻断直流的串联的电容器。因此，能够扩展可通过二极管线性化电路补偿的增益的范围。并且，能够降低二极管线性化电路断开时的RF信号路径的插入损耗，并且能够扩展动作时的增益扩展的范围。另外，不使用开关，或者需要的电容器的元件个数少，因此电路尺寸也小。

公开(公告)号：CN107039356B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201611007713.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  前原宏昭

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。

公开(公告)号：CN107046030A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710071184.4

申请日：2017-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  宫下美代 ,  山本和也

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。

公开(公告)号：CN104518768A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410503154.2

申请日：2014-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀口健一 ,  广部正和 ,  美保谕志 ,  佐佐木善伸 ,  山本和也

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03F3/195 ,  H03F1/56 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/414 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。

公开(公告)号：CN102193063B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201110040545.1

申请日：2011-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  浅田智之 ,  宫下美代

IPC: G01R31/316 ,  H03F3/24

CPC classification number: G01R31/2822 ,  G01R23/20 ,  H03F3/24 ,  H04B1/0475 ,  H04B17/103

Abstract: 本发明目的在于提供能廉价且容易地抑制失真特性劣化的检测电路与使用该检测电路的半导体装置。检测电路，是使用配置在功率放大器与天线之间的定向耦合器的耦合线路两端的信号来检测该功率放大器的失真特性劣化的电路，包括：使该耦合线路的耦合端子的电力移相及衰减的移相/衰减器；输出该移相/衰减器的输出电力与该耦合线路的隔离端子的电力的差分的单元；将该差分转换为DC信号的检波电路；以及判定该DC信号的电压电平是否比既定值高的比较电路。而且，其：在该功率放大器的失真特性劣化的该天线端处于负载状态下，该移相/衰减器使该耦合端子的电力移相以使该移相/衰减器输出的信号的相位与该隔离端子的信号的相位的相位差为180°。

公开(公告)号：CN101373953A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810085237.9

申请日：2008-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本和也 ,  宫下美代

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/20 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03G1/0035

Abstract: 本发明能得到一种无功电流的控制性良好、难以受到元件偏差的影响并具有稳定的温度特性的功率放大器。射极跟随电路(Rb3～Rb6、Trb1～Trb3)将与施加到参考端子(Vref)上的参考电压相对应的电压施加到第2放大元件(Tr2)的输入端子上。在参考端子(Vref)和第1放大元件(Tr1)的输入端子之间串联连接有第1、第2电阻(Ra1、Ra2)。第1晶体管(Tra1)的集电极连接到参考端子(Vref)上，在基极上施加控制电压。在第1晶体管(Tra1)的发射极和接地点之间连接有第3电阻(Ra5)。电流反射镜电路(Tra2、Tra3)将与从第1晶体管(Tra1)的集电极输入的电流成比例的电流，从第1电阻(Ra1)和第2电阻(Ra2)的连接点抽出。

公开(公告)号：CN100359690C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200410056245.2

申请日：2004-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮下美代 ,  山本和也

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H03F3/45085 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明提供一种驱动电路。在设有用于消除输出失配的滤波器的已有驱动电路中，存在着具体确定输出部的导线(L5、L6)的电感值的困难。为此，在具有以各个输入端与发射极跟随器的输出端连接的差动晶体管对(Q1、Q2)的驱动电路中，将上述差动晶体管对的终端端子与各焊盘(P3、P4)连接，同时将各焊盘(P3、P4)与安装基板或封装引线之间以作为电感器而发挥作用的导线(L7、L8)分别连接。还将差动晶体管对的各基板通过电阻与构成上述发射极跟随器的晶体管的发射极连接。

公开(公告)号：CN107046030B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201710071184.4

申请日：2017-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  宫下美代 ,  山本和也

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。

公开(公告)号：CN112272866A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201980037589.3

申请日：2019-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 郑芸 ,  熊谷隆 ,  山本和也 ,  侯虎翼

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供不被功率模块内部的绝缘片的绝缘耐压所左右而在超过功率模块的额定绝缘耐压的电压施加于功率模块的场合也能保护功率模块的技术。功率模块装置具备：功率模块(23)、配线导体(1)、散热器(11)、将模块底板(3)和散热器(11)绝缘的绝缘片(10)以及连接在配线导体(1)与模块底板(3)之间的具有静电电容或者寄生电容的构件。模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容并联连接，模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接，具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接。

公开(公告)号：CN104113287A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410149400.9

申请日：2014-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤原茂 ,  山本和也 ,  宫下美代 ,  山部滋生 ,  小林大介

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/20 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3205 ,  H03F1/223 ,  H03F3/193 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/192 ,  H03F2200/195 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/207 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/465

Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。