公开(公告)号：CN104852696A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510084662.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤邦宏 ,  茶木伸 ,  山崎贵嗣 ,  吉冈贵章

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H03F3/19 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明得到一种能够高效地进行高频老化试验的高频功率放大器及其制造方法。在半导体基板(2)上各自分离地设置有多个晶体管单元(3)。多个测试用电极(4)与多个晶体管单元(3)分别单独地连接，并从外部向每个晶体管单元(3)独立地供给使对应的晶体管单元(3)单独地动作的电气信号和电力。由此，能够高效地进行高频老化试验。

公开(公告)号：CN104601124B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410601783.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三轮真一 ,  佐藤邦宏

IPC: H03F1/56

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/56 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/267 ,  H03F2200/75 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通用性高的放大器。本申请的发明涉及的放大器的特征在于，具有：晶体管芯片(30)；匹配用芯片(16)，其具有电容器组(24)，该电容器组(24)具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；接合线(42)，其将该晶体管芯片(30)与该电容器组(24)的某1个该MIM电容器的该上部电极连接，且用于传输高频信号；以及壳体(12)，其收容该晶体管芯片(30)和该匹配用芯片(16)，多个该MIM电容器的该下部电极接地，该电容器组(24)的该MIM电容器的电容值彼此不同。

公开(公告)号：CN104601124A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601783.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三轮真一 ,  佐藤邦宏

IPC: H03F1/56

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/56 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/267 ,  H03F2200/75 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通用性高的放大器。本发明涉及的放大器的特征在于，具有：晶体管芯片(30)；匹配用芯片(16)，其具有电容器组(24)，该电容器组(24)具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；接合线(42)，其将该晶体管芯片(30)与该电容器组(24)的某1个该MIM电容器的该上部电极连接，且用于传输高频信号；以及壳体(12)，其收容该晶体管芯片(30)和该匹配用芯片(16)，多个该MIM电容器的该下部电极接地，该电容器组(24)的该MIM电容器的电容值彼此不同。