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公开(公告)号：CN119836594A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202280097515.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明在半绝缘性或p型的基板(10)之上设置有n型防扩散层(11b、30b)。在n型防扩散层(11b、30b)之上设置有p型包覆层(12b、13b)。第一及第二量子阱活性层(14b、14c)在p型包覆层(12b、13b)之上相互分离地设置。第一及第二n型包覆层(15b、15c)分别设置于第一及第二量子阱活性层(14b、14c)之上。第一及第二行波电极(20a、20b)分别与第一及第二n型包覆层(15b、15c)连接。DC偏压电极(27)与p型包覆层(12b、13b)连接，不与n型防扩散层(11b、30b)直接连接。
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公开(公告)号：CN111418120A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780097327.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于得到温度依赖性小、可靠性优异的电场吸收型调制器。本发明的电场吸收型调制器(16)形成于InP基板(1)，通过被施加的电压对入射光(33)进行调制，其特征在于，具有光吸收层(5)，该光吸收层(5)通过由被施加的电压产生的电场对入射光(33)的一部分进行吸收，光吸收层(5)由不含Al而含有Bi的大于或等于3元的III-V族半导体混晶构成。
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公开(公告)号：CN114175427B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201980098685.9
申请日：2019-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器装置(50)是分布反馈型的激光器部(21)以及电场吸收型的调制器部(22)形成于同一半导体基板(1)，从激光器部(21)射出的激光束从调制器部(22)的射出端面(32)射出的半导体激光器装置。激光器部(21)具备沿激光束的光轴的方向延伸而形成的第一衍射光栅(17)，调制器部(22)在至少一部分具备沿激光束的光轴的方向延伸而形成的第二衍射光栅(18)。在调制器部(22)的第二衍射光栅(18)与向调制器部(22)射出激光束的激光器部(21)的射出端之间，夹设有不形成衍射光栅的非衍射光栅区域(25)。
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公开(公告)号：CN116349097A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080106047.X
申请日：2020-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/14
Abstract: 本公开所涉及的光半导体装置具备：半导体基板；至少一个半导体激光器，设置于半导体基板；光合分波回路，设置于半导体基板，对半导体激光器的第一输出光进行合波或分波，并输出第二输出光和第三输出光；第一导波部，设置于半导体基板，从半导体基板的端面输出第二输出光；以及第二导波部，具有放大第三输出光的光放大器和反射部，并设置于半导体基板，反射部具有衍射光栅，该衍射光栅反射由光放大器放大后的第三输出光，并经由光放大器和光合分波回路反馈到半导体激光器，半导体激光器和反射部形成谐振器。
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公开(公告)号：CN111418120B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201780097327.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于得到温度依赖性小、可靠性优异的电场吸收型调制器。本发明的电场吸收型调制器(16)形成于InP基板(1)，通过被施加的电压对入射光(33)进行调制，其特征在于，具有光吸收层(5)，该光吸收层(5)通过由被施加的电压产生的电场对入射光(33)的一部分进行吸收，光吸收层(5)由不含Al而含有Bi的大于或等于3元的III‑V族半导体混晶构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118369611A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202180104650.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/017
Abstract: 本公开所涉及的光半导体装置具备：第1包层；量子阱活性层，设置于上述第1包层之上；第2包层，设置于上述量子阱活性层之上，且导电型与上述第1包层不同；加热电极，设置于上述第2包层之上；偏压控制部，对上述加热电极施加偏压来加热上述量子阱活性层，调整在上述量子阱活性层中传播的光的相位；以及反向偏压控制部，对上述量子阱活性层施加反向偏压，调整在上述量子阱活性层中传播的光的振幅。
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公开(公告)号：CN112189289A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201880093701.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器装置(50)具有激光器部(21)和调制器部(23)。激光器部(21)具有：第一台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在激光器部(21)射出的激光的光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第一台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；n型填埋层(8)，其形成于半绝缘性填埋层(7)的表面；以及p型包层(9)，其将n型填埋层(8)以及第一台面条带(25)的表面覆盖。调制器部(23)具有：第二台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第二台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；以及p型包层(9)，其将半绝缘性填埋层(7)以及第二台面条带(25)的表面覆盖。
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公开(公告)号：CN104711543A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410785155.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4581 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，其能够维持热分解出的材料气体的密度。该成膜装置的特征在于，具有：承受器，其具有第1部分和第2部分，其中，在该第1部分的上表面保持晶片，该第2部分与该第1部分相连；气体供给部，其向该承受器的上方供给材料气体；第1加热器，其对该第1部分进行加热；第2加热器，其对该第2部分进行加热；以及温度控制装置，其对该第1加热器和该第2加热器的温度进行控制，该温度控制装置在向该晶片的成膜过程中，通过保持该第1加热器的温度，并且使该第2加热器的温度增加，从而使该承受器的上方的温度保持为恒定。
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公开(公告)号：CN116490817A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080107149.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 具备：基板；光调制器(2)，设置于该基板；光波导(3)，设置于该基板，一端与该光调制器(2)的光射出侧连接，另一端处于该基板的端部；相位调整部(4)，设置于该光波导(3)的路径上并且调整在该光波导(3)中导波的光的相位；以及光放大部(5)，设置于该光波导(3)的路径上并且放大在该光波导(3)中导波的光的功率，通过该相位调整部(4)的相位调整，使具有因在该光波导(3)的该一端与该另一端之间产生的光的多重反射而相对于频率周期性变动的波纹的透射率光谱的极小值或极大值与输入于该光调制器(2)的光的波长一致，使误差向量幅度被最小化。
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公开(公告)号：CN112189289B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880093701.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器装置(50)具有激光器部(21)和调制器部(23)。激光器部(21)具有：第一台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在激光器部(21)射出的激光的光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第一台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；n型填埋层(8)，其形成于半绝缘性填埋层(7)的表面；以及p型包层(9)，其将n型填埋层(8)以及第一台面条带(25)的表面覆盖。调制器部(23)具有：第二台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第二台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；以及p型包层(9)，其将半绝缘性填埋层(7)以及第二台面条带(25)的表面覆盖。
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