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公开(公告)号：CN112189289A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201880093701.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器装置(50)具有激光器部(21)和调制器部(23)。激光器部(21)具有：第一台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在激光器部(21)射出的激光的光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第一台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；n型填埋层(8)，其形成于半绝缘性填埋层(7)的表面；以及p型包层(9)，其将n型填埋层(8)以及第一台面条带(25)的表面覆盖。调制器部(23)具有：第二台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第二台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；以及p型包层(9)，其将半绝缘性填埋层(7)以及第二台面条带(25)的表面覆盖。
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公开(公告)号：CN112189289B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880093701.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器装置(50)具有激光器部(21)和调制器部(23)。激光器部(21)具有：第一台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在激光器部(21)射出的激光的光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第一台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；n型填埋层(8)，其形成于半绝缘性填埋层(7)的表面；以及p型包层(9)，其将n型填埋层(8)以及第一台面条带(25)的表面覆盖。调制器部(23)具有：第二台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第二台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；以及p型包层(9)，其将半绝缘性填埋层(7)以及第二台面条带(25)的表面覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119816779A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202280099547.4
申请日：2022-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 奥田真也
Abstract: 本公开的光传送装置的制造方法具备：将光半导体装置(1)配设于子安装座(40)的工序，光半导体装置(1)具备形成于半导体基板(11)之上的半导体激光器(2)、形成于半导体基板(11)之上的光调制元件(4)、形成于半导体基板(11)之上的静电耐压元件(5)以及将光调制元件(4)和静电耐压元件(5)并联电连接的临时电极(10)；将光半导体装置(1)和驱动电路(48)电连接的工序；以及将配设于子安装座(40)的光半导体装置(1)的临时电极(10)电切断的工序。由此，能够提供提升安装时的静电破坏耐压并能够进行高速调制动作的光传送装置。
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公开(公告)号：CN111418120A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780097327.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于得到温度依赖性小、可靠性优异的电场吸收型调制器。本发明的电场吸收型调制器(16)形成于InP基板(1)，通过被施加的电压对入射光(33)进行调制，其特征在于，具有光吸收层(5)，该光吸收层(5)通过由被施加的电压产生的电场对入射光(33)的一部分进行吸收，光吸收层(5)由不含Al而含有Bi的大于或等于3元的III-V族半导体混晶构成。
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公开(公告)号：CN119866582A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202280099533.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 奥田真也
IPC: H01S5/026
Abstract: 本公开的光半导体装置(100)具有：形成于共同的半导体基板(1)上的半导体激光器部(70)以及光调制器部(72)，半导体激光器部(70)具备以下各层：分别为由III‑V族半导体混晶构成的第一导电型的下部包层(2)、发射激光束的活性层(3)、以及设置有初级衍射光栅(15)的第二导电型的上部包层(4)，光调制器部(72)具备：至少一部分由含有Bi的III‑V族半导体混晶构成并吸收从活性层(3)入射的激光束的光吸收层(21)；和与光吸收层(21)的下表面及上表面的任一方的面对置的散射光吸收层(20、22)、或者与光吸收层(21)的下表面及上表面分别对置的一对散射光吸收层(20、22)。
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公开(公告)号：CN111418120B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201780097327.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于得到温度依赖性小、可靠性优异的电场吸收型调制器。本发明的电场吸收型调制器(16)形成于InP基板(1)，通过被施加的电压对入射光(33)进行调制，其特征在于，具有光吸收层(5)，该光吸收层(5)通过由被施加的电压产生的电场对入射光(33)的一部分进行吸收，光吸收层(5)由不含Al而含有Bi的大于或等于3元的III‑V族半导体混晶构成。
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