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公开(公告)号：CN115428280B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080099988.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：激光二极管部(12)，其设置于基板(10)之上的一端侧，具有第1光波导(43)，并产生激光；调制器部(14)，其设置于另一端侧，具有第2光波导(53)，并对激光进行调制；分离区域(16)，其设置于激光二极管部(12)与调制器部(14)之间；以及一对槽(22、24)，其沿着第1光波导(43)以及第2光波导(53)而设置于两侧，分离区域(16)内的第2光波导以及调制器部(14)内的第2光波导(53)的靠分离区域侧的一部分为埋入构造，调制器部(14)内的第2光波导(53)的剩余部分具有高台面脊构造。
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公开(公告)号：CN113273043A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980077577.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 森田佳道
Abstract: 本发明的光半导体集成元件具备：激光二极管部(20)，其设置于n型InP基板(10)的表面；光斑尺寸变换部(30)，其设置于n型InP基板(10)的表面，由传输射出的激光束并且是两侧沿激光束的传输方向变得尖细的锥形状的芯层(32)、芯层(32)的表面侧的p型InP包层(33)、芯层(32)的背面侧的n型InP包层(31)、设置于芯层(32)的两侧的第一包层的n型InP包层(34a、34b)、以及设置于p型InP包层(33)和第一包层的各表面的第二包层的p型InP包层(27)构成；窗区域(40)，其设置于芯层(32)的前端侧的n型InP基板(10)的表面；以及监控PD(50)，其设置于窗区域(40)的表面，使第一包层的折射率比第二包层的折射率低。
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公开(公告)号：CN111164475A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780095438.4
申请日：2017-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。
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公开(公告)号：CN101872036A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010159579.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供在进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法中能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻的情况的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113273043B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980077577.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 森田佳道
Abstract: 本发明的光半导体集成元件具备：激光二极管部(20)，其设置于n型InP基板(10)的表面；光斑尺寸变换部(30)，其设置于n型InP基板(10)的表面，由传输射出的激光束并且是两侧沿激光束的传输方向变得尖细的锥形状的芯层(32)、芯层面侧的n型InP包层(31)、设置于芯层(32)的两侧的第一包层的n型InP包层(34a、34b)、以及设置于p型InP包层(33)和第一包层的各表面的第二包层的p型InP包层(27)构成；窗区域(40)，其设置于芯层(32)的前端侧的n型InP基板(10)的表面；以及监控PD(50)，其设置于窗区域(40)的表面，使第一包层的折射率比第二包层的折射率低。(32)的表面侧的p型InP包层(33)、芯层(32)的背
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公开(公告)号：CN115428280A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099988.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：激光二极管部(12)，其设置于基板(10)之上的一端侧，具有第1光波导(43)，并产生激光；调制器部(14)，其设置于另一端侧，具有第2光波导(53)，并对激光进行调制；分离区域(16)，其设置于激光二极管部(12)与调制器部(14)之间；以及一对槽(22、24)，其沿着第1光波导(43)以及第2光波导(53)而设置于两侧，分离区域(16)内的第2光波导以及调制器部(14)内的第2光波导(53)的靠分离区域侧的一部分为埋入构造，调制器部(14)内的第2光波导(53)的剩余部分具有高台面脊构造。
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公开(公告)号：CN101872036B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010159579.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法，能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于，包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。
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公开(公告)号：CN117280553A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180097866.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 森田佳道
IPC: H01S5/026
Abstract: 本公开所涉及的光半导体装置(100)具备：至少一个激光器(21)；多个EA调制器(41、42)，在输入侧连接有激光器(21)的输出，并且吸收峰值波长相互不同；合波器(50)，在输入侧连接有多个EA调制器(41、42)的输出，在输出侧连接有波导；温度检测器(60)，检测激光器(21)或多个EA调制器(41、42)的温度；以及选择控制部(62)，根据温度检测器(60)的检测温度，来切换多个EA调制器(41、42)中要进行动作的EA调制器。
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公开(公告)号：CN111164475B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780095438.4
申请日：2017-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。
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