公开(公告)号：CN118401883A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202180105067.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介

IPC: G02F1/017 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125

Abstract: 激光二极管(2)和调制器(3)设置于半导体基板(1)。调制器(3)具有调制器电极(8)，对从激光二极管(2)射出的激光进行调制。多个引出电极(9)从调制器电极(8)被引出。多个电极焊盘(10)与多个引出电极(9)分别对置。在相互对置的引出电极(9)与电极焊盘(10)之间设置有间隙(11)。

公开(公告)号：CN115428280B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202080099988.5

申请日：2020-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介 ,  森田佳道

IPC: H01S5/026

Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：激光二极管部(12)，其设置于基板(10)之上的一端侧，具有第1光波导(43)，并产生激光；调制器部(14)，其设置于另一端侧，具有第2光波导(53)，并对激光进行调制；分离区域(16)，其设置于激光二极管部(12)与调制器部(14)之间；以及一对槽(22、24)，其沿着第1光波导(43)以及第2光波导(53)而设置于两侧，分离区域(16)内的第2光波导以及调制器部(14)内的第2光波导(53)的靠分离区域侧的一部分为埋入构造，调制器部(14)内的第2光波导(53)的剩余部分具有高台面脊构造。

公开(公告)号：CN108389948A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810107799.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介 ,  增山祐士

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L23/00 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种半导体光模块及载体，它们能够抑制由于载体向底座的焊接引起的载体之上的半导体芯片的特性产生变化。载体(1)具备：上表面(1a)，其用于安装半导体芯片(3)；下表面(1b)，其位于上表面(1a)的相反侧；以及环状的侧周面(1c)，其将上表面(1a)及下表面(1b)相连。在侧周面(1c)设置有在侧周面(1c)的周向延伸的槽(2)。作为一个例子，将槽(2)的剖面形状设为矩形。在侧周面(1c)设置有多个槽(2)。即，槽(2)包含：第一槽(2)，其在侧周面(1c)的整周延伸；以及第二槽(2)，其在侧周面(1c)的整周与第一槽(2)平行地延伸。槽(2)在侧周面(1c)的整周连续地延伸。

公开(公告)号：CN104577710A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410549270.8

申请日：2014-10-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介 ,  石村荣太郎 ,  柴田公隆

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  G01B11/028 ,  G01B11/14 ,  H01S5/0202 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明得到一种能够简单地测定窗构造的长度的光半导体装置、光半导体装置的制造方法、以及光模块的制造方法。在共振器端面(2)和光波导(3)之间形成有窗构造(4)。游标部(5)设置在窗构造(4)上。该游标部(5)能够对沿着光轴方向的窗构造(4)的长度进行测定。通过从顶面观察游标部(5)，数出光轴方向的槽(6)的数量，从而能够容易地测定窗构造(4)的长度L。

公开(公告)号：CN115428280A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202080099988.5

申请日：2020-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介 ,  森田佳道

IPC: H01S5/026

Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：激光二极管部(12)，其设置于基板(10)之上的一端侧，具有第1光波导(43)，并产生激光；调制器部(14)，其设置于另一端侧，具有第2光波导(53)，并对激光进行调制；分离区域(16)，其设置于激光二极管部(12)与调制器部(14)之间；以及一对槽(22、24)，其沿着第1光波导(43)以及第2光波导(53)而设置于两侧，分离区域(16)内的第2光波导以及调制器部(14)内的第2光波导(53)的靠分离区域侧的一部分为埋入构造，调制器部(14)内的第2光波导(53)的剩余部分具有高台面脊构造。

公开(公告)号：CN108389948B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201810107799.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东祐介 ,  增山祐士

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L23/00 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种半导体光模块及载体，它们能够抑制由于载体向底座的焊接引起的载体之上的半导体芯片的特性产生变化。载体(1)具备：上表面(1a)，其用于安装半导体芯片(3)；下表面(1b)，其位于上表面(1a)的相反侧；以及环状的侧周面(1c)，其将上表面(1a)及下表面(1b)相连。在侧周面(1c)设置有在侧周面(1c)的周向延伸的槽(2)。作为一个例子，将槽(2)的剖面形状设为矩形。在侧周面(1c)设置有多个槽(2)。即，槽(2)包含：第一槽(2)，其在侧周面(1c)的整周延伸；以及第二槽(2)，其在侧周面(1c)的整周与第一槽(2)平行地延伸。槽(2)在侧周面(1c)的整周连续地延伸。

公开(公告)号：CN104518426B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410510284.9

申请日：2014-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  秋山浩一 ,  东祐介 ,  森田佳道 ,  大和屋武

IPC: H01S5/068

CPC classification number: H04J14/02 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/70

Abstract: 提供一种对多个集成型光调制元件之间的消光比的波动进行抑制的半导体光元件以及光模块。光模块(10)具有波长合波器(12)。波长合波器对多个集成型光调制元件(21、22、23、24)的EAM部(122a、122b、122c、122d)各自的出射光进行合波，输出该合波光。集成型光调制元件(21)具有信号输入端子(31)、激光元件部(121)、以及EAM部(122)。在各个集成型光调制元件中，LDBG波长差(ΔλLDBG)是各元件的振荡波长(λLD)与势垒层带隙波长(λBG)的差的绝对值。将ΔλLDBG1、ΔλLDBG2、ΔλLDBG3、以及ΔλLDBG4的值的波动限定在±1nm的范围内。

公开(公告)号：CN104518426A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410510284.9

申请日：2014-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  秋山浩一 ,  东祐介 ,  森田佳道 ,  大和屋武

IPC: H01S5/068

CPC classification number: H04J14/02 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/70

Abstract: 本发明提供一种对多个集成型光调制元件之间的消光比的波动进行抑制的半导体光元件以及光模块。光模块(10)具有波长合波器(12)。波长合波器对多个集成型光调制元件(21、22、23、24)的EAM部(122a、122b、122c、122d)各自的出射光进行合波，输出该合波光。集成型光调制元件(21)具有信号输入端子(31)、激光元件部(121)、以及EAM部(122)。在各个集成型光调制元件中，LDBG波长差(ΔλLDBG)是各元件的振荡波长(λLD)与势垒层带隙波长(λBG)的差的绝对值。将ΔλLDBG1、ΔλLDBG2、ΔλLDBG3、以及ΔλLDBG4的值的波动限定在±1nm的范围内。