公开(公告)号：CN116261817B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080105693.4

申请日：2020-10-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  大和屋武

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/068

Abstract: 调制器集成半导体激光器(100)具有半导体激光器(101)、和以串联的方式单片集成于半导体激光器(101)的后级的电吸收型调制器(102)以及光衰减器(103)。控制部(44)以调制器集成半导体激光器(100)的温度越上升，施加到光衰减器(103)的DC偏置电压变得越大的方式进行控制。

公开(公告)号：CN104518426B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410510284.9

申请日：2014-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  秋山浩一 ,  东祐介 ,  森田佳道 ,  大和屋武

IPC: H01S5/068

CPC classification number: H04J14/02 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/70

Abstract: 提供一种对多个集成型光调制元件之间的消光比的波动进行抑制的半导体光元件以及光模块。光模块(10)具有波长合波器(12)。波长合波器对多个集成型光调制元件(21、22、23、24)的EAM部(122a、122b、122c、122d)各自的出射光进行合波，输出该合波光。集成型光调制元件(21)具有信号输入端子(31)、激光元件部(121)、以及EAM部(122)。在各个集成型光调制元件中，LDBG波长差(ΔλLDBG)是各元件的振荡波长(λLD)与势垒层带隙波长(λBG)的差的绝对值。将ΔλLDBG1、ΔλLDBG2、ΔλLDBG3、以及ΔλLDBG4的值的波动限定在±1nm的范围内。

公开(公告)号：CN104518426A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410510284.9

申请日：2014-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  秋山浩一 ,  东祐介 ,  森田佳道 ,  大和屋武

IPC: H01S5/068

CPC classification number: H04J14/02 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/70

Abstract: 本发明提供一种对多个集成型光调制元件之间的消光比的波动进行抑制的半导体光元件以及光模块。光模块(10)具有波长合波器(12)。波长合波器对多个集成型光调制元件(21、22、23、24)的EAM部(122a、122b、122c、122d)各自的出射光进行合波，输出该合波光。集成型光调制元件(21)具有信号输入端子(31)、激光元件部(121)、以及EAM部(122)。在各个集成型光调制元件中，LDBG波长差(ΔλLDBG)是各元件的振荡波长(λLD)与势垒层带隙波长(λBG)的差的绝对值。将ΔλLDBG1、ΔλLDBG2、ΔλLDBG3、以及ΔλLDBG4的值的波动限定在±1nm的范围内。

公开(公告)号：CN119343625A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202280096629.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  森田佳道 ,  奥田真也

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明提供半导体光集成元件。EA调制器(101)和终端电阻(102)被单片集成于基板(1)之上。终端电阻(102)与EA调制器(101)并联地电连接。终端电阻(102)由半导体材料构成。终端电阻(102)的长度为EA调制器(101)的长度的0.5～1.5倍。终端电阻(102)配置为在俯视观察时与调制器(101)平行。

公开(公告)号：CN116261817A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202080105693.4

申请日：2020-10-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内山麻美 ,  大和屋武

IPC: H01S5/068

Abstract: 调制器集成半导体激光器(100)具有半导体激光器(101)、和以串联的方式单片集成于半导体激光器(101)的后级的电吸收型调制器(102)以及光衰减器(103)。控制部(44)以调制器集成半导体激光器(100)的温度越上升，施加到光衰减器(103)的DC偏置电压变得越大的方式进行控制。