公开(公告)号：CN119836594A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202280097515.0

申请日：2022-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村鸿介 ,  柳乐崇

IPC: G02F1/017 ,  G02F1/225

Abstract: 本发明在半绝缘性或p型的基板(10)之上设置有n型防扩散层(11b、30b)。在n型防扩散层(11b、30b)之上设置有p型包覆层(12b、13b)。第一及第二量子阱活性层(14b、14c)在p型包覆层(12b、13b)之上相互分离地设置。第一及第二n型包覆层(15b、15c)分别设置于第一及第二量子阱活性层(14b、14c)之上。第一及第二行波电极(20a、20b)分别与第一及第二n型包覆层(15b、15c)连接。DC偏压电极(27)与p型包覆层(12b、13b)连接，不与n型防扩散层(11b、30b)直接连接。

公开(公告)号：CN118369611A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202180104650.9

申请日：2021-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村鸿介 ,  柳乐崇

IPC: G02F1/017

Abstract: 本公开所涉及的光半导体装置具备：第1包层；量子阱活性层，设置于上述第1包层之上；第2包层，设置于上述量子阱活性层之上，且导电型与上述第1包层不同；加热电极，设置于上述第2包层之上；偏压控制部，对上述加热电极施加偏压来加热上述量子阱活性层，调整在上述量子阱活性层中传播的光的相位；以及反向偏压控制部，对上述量子阱活性层施加反向偏压，调整在上述量子阱活性层中传播的光的振幅。