公开(公告)号：CN100508312C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410057521.7

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西田武弘 ,  宮下宗治 ,  山口勉

IPC: H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的第1区域中、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；形成在半导体衬底上的第2区域中、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；在第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层；第1和第2活性层由不同的半导体材料构成。第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。

公开(公告)号：CN1604415A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410057521.7

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西田武弘 ,  宮下宗治 ,  山口勉

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，即，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，且包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第1区域中形成的、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；在半导体衬底上的第2区域中形成的、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成。此外，第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，而且，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。