公开(公告)号：CN105990464B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201610169108.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹村亮太 ,  中路雅晴 ,  山路和树

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 得到一种半导体受光元件，其能够兼顾高速响应性和抑制元件劣化。在衬底(1)之上依次层叠有p型导电层(2)、光吸收层(3)、倍增层(5)以及n型InP窗层(7)，该光吸收层(3)具有比入射光小的带隙，该倍增层(5)进行雪崩倍增。n型导电层(8)形成在n型InP窗层(7)的一部分区域之上。第一p型导电区域(11)形成在n型InP窗层(7)之中未与n型导电层(8)接触的区域。第一p型导电区域(11)未到达至倍增层(5)，未与能够从外部供电的电极接触。

公开(公告)号：CN101626043A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910128969.6

申请日：2009-03-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)、和阳极电极(22)(反射膜)。在n型InP衬底(10)的上表面上形成有反射防止膜(26)。第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚Lopt2时，Lopt1和Lopt2不同。

公开(公告)号：CN102800715A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210165691.1

申请日：2012-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 笹畑圭史 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L25/03

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明得到能实现较大的开口率的雪崩光电二极管。在n型InP衬底(1)的主表面上，依次层叠了雪崩倍增层(3)、p型InP电场缓冲层(4)、光吸收层(5)、及掺杂InP窗层(6)。在掺杂InP窗层(6)的一部分设有p型杂质区域(8)。直线状p侧电极(9)配置在p型杂质区域(8)上且与p型杂质区域(8)连接。直线状p侧电极(9)从与n型InP衬底(1)的主表面相向的平面上看呈直线状。

公开(公告)号：CN101593784B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910008169.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴 ,  柳生荣治

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0232

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供光半导体装置，其响应的线性良好，量子效率高。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布喇铬反射层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、和p型InP窗口层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中交替地层叠有折射率低的n型InP层(12a)(第一半导体层)和折射率高的n型InGaAs层(12b)(第二半导体层)。在n型InP层(12a)中，带隙波长大于入射光的波长λ，不吸收入射光。另一方面，在n型InGaAs层(12b)中，带隙波长小于入射光的波长λ，吸收入射光。n型InP层(12a)的光学层厚度大于n型InGaAs层(12b)的光学层厚度。

公开(公告)号：CN102280516A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110153553.7

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 笹畑圭史 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/107

Abstract: 本发明涉及一种能够降低响应失真并且抑制受光灵敏性的降低的半导体受光元件。在n型InP衬底（10）上依次层叠有n型的光吸收复合层（12）、n型的多层反射膜（14）、光吸收层（16）以及窗层（18）。在窗层（18）的一部分上形成有p型掺杂区域（20）。p侧电极（22）与p型掺杂区域（20）连接。n侧电极（26）与n型InP型衬底（10）的下表面连接。窗层（18）的带隙能量比光吸收层（16）的带隙能量大。光吸收复合层（12）的带隙能量比n型InP衬底（10）的带隙能量小。

公开(公告)号：CN101626043B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200910128969.6

申请日：2009-03-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)、和阳极电极(22)(反射膜)。在n型InP衬底(10)的上表面上形成有反射防止膜(26)。第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚Lopt2时，Lopt1和Lopt2不同。

公开(公告)号：CN100573925C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580049811.X

申请日：2005-05-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 在雪崩光电二极管中，采用具备：第一电极；具备与它电连接的由第一导电类型构成的第一半导体层的衬底；其中，在所述衬底上至少层叠雪崩倍增层、光吸收层、禁带宽度比所述光吸收层更大的由第二导电类型构成的第二半导体层，通过在所述第二半导体层上形成的沟，分离为内部区域和外部区域，所述内部区域与第二电极电连接的结构。根据该结构，能用简单的步骤，提供低暗电流、并且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，采用包围所述内部区域和沟而在所述外部区域设置外壕沟，通过所述外壕沟至少除去光吸收层，形成所述光吸收层的侧面的结构。根据该结构，能进一步降低暗电流。

公开(公告)号：CN101593784A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910008169.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  中路雅晴 ,  柳生荣治

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0232

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供光半导体装置，其响应的线性良好，量子效率高。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布喇铬反射层)、低载流子浓度的i－InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、和p型InP窗口层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中交替地层叠有折射率低的n型InP层(12a)(第一半导体层)和折射率高的n型InGaAs层(12b)(第二半导体层)。在n型InP层(12a)中，带隙波长大于入射光的波长λ，不吸收入射光。另一方面，在n型InGaAs层(12b)中，带隙波长小于入射光的波长λ，吸收入射光。n型InP层(12a)的光学层厚度大于n型InGaAs层(12b)的光学层厚度。

公开(公告)号：CN101180740A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200580049811.X

申请日：2005-05-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳生荣治 ,  石村荣太郎 ,  中路雅晴

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 在雪崩光电二极管中，采用具备：第一电极；具备与它电连接的由第一导电类型构成的第一半导体层的衬底；其中，在所述衬底上至少层叠雪崩倍增层、光吸收层、禁带宽度比所述光吸收层更大的由第二导电类型构成的第二半导体层，通过在所述第二半导体层上形成的沟，分离为内部区域和外部区域，所述内部区域与第二电极电连接的结构。根据该结构，能用简单的步骤，提供低暗电流、并且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，采用包围所述内部区域和沟而在所述外部区域设置外壕沟，通过所述外壕沟至少除去光吸收层，形成所述光吸收层的侧面的结构。根据该结构，能进一步降低暗电流。

公开(公告)号：CN105280732A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510419547.X

申请日：2015-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菊地真人武 ,  中路雅晴 ,  竹村亮太 ,  山路和树

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/109 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明的目的在于提供一种受光元件，该受光元件能够加快响应速度，并且能够防止正极电极与负极电极的短路。本发明的受光元件具备：第1导电型的衬底；第1导电型的光吸收层，其在该衬底上形成，与该衬底相比带隙较小；第2导电型的扩散层，其在该光吸收层的一部分上形成；第1导电型的窗口层，其在该光吸收层上以包围该扩散层的方式形成，与该光吸收层相比带隙较大；正极电极，其在该扩散层上形成；以及负极电极，其在该衬底上，以不与该窗口层和该光吸收层接触，而与该衬底接触的方式设置，该受光元件形成有槽，该槽在俯视观察时包围该扩散层与该窗口层之间的边界，在剖视观察时贯通该窗口层和该光吸收层。