Invention Grant
- Patent Title: 半导体受光元件
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Application No.: CN201610169108.2Application Date: 2016-03-23
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Publication No.: CN105990464BPublication Date: 2017-12-15
- Inventor: 竹村亮太 , 中路雅晴 , 山路和树
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 何立波; 张天舒
- Priority: 2015-059974 2015.03.23 JP
- Main IPC: H01L31/107
- IPC: H01L31/107
Abstract:
得到一种半导体受光元件，其能够兼顾高速响应性和抑制元件劣化。在衬底(1)之上依次层叠有p型导电层(2)、光吸收层(3)、倍增层(5)以及n型InP窗层(7)，该光吸收层(3)具有比入射光小的带隙，该倍增层(5)进行雪崩倍增。n型导电层(8)形成在n型InP窗层(7)的一部分区域之上。第一p型导电区域(11)形成在n型InP窗层(7)之中未与n型导电层(8)接触的区域。第一p型导电区域(11)未到达至倍增层(5)，未与能够从外部供电的电极接触。
Public/Granted literature
- CN105990464A 半导体受光元件 Public/Granted day:2016-10-05
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IPC分类:
