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公开(公告)号：CN1459900A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03101735.5
申请日：2003-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 高濑祯
CPC classification number: H01S5/305 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/3086 , H01S5/309
Abstract: 一种半导体激光器，该激光器在p－包层与n－包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p－包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n－包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p－包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。
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公开(公告)号：CN101958507A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231717.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明涉及半导体激光器装置，在热沉上以结下方式接合2波长半导体激光器芯片，其中，降低在激光器芯片和热沉之间产生的组装应力，减小2个激光器各自的偏振角。在热沉和2波长半导体激光器芯片的接合中使用SnAg焊料。这时，针对2个激光器的每一个，将从波导的中心起至芯片中心侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离、与从波导的中心起至芯片端侧的热沉与2波长半导体激光器芯片的接合面的端部的距离的比分别作为0.69以上1.46以下。
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公开(公告)号：CN101588020A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910009970.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。
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公开(公告)号：CN114026752A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201980097904.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。
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公开(公告)号：CN100514777C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710096051.9
申请日：2004-06-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 高濑祯
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114026752B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201980097904.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。
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公开(公告)号：CN112438001A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201880095693.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
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公开(公告)号：CN101588020B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910009970.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。
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公开(公告)号：CN112438001B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880095693.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
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公开(公告)号：CN101043123A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710096051.9
申请日：2004-06-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 高濑祯
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
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