公开(公告)号：CN101588020B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910009970.7

申请日：2009-01-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  西田武弘 ,  大仓裕二 ,  高濑祯

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/24

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。

公开(公告)号：CN101626142A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910117972.8

申请日：2009-02-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 多田仁史 ,  山口勉 ,  川津善平 ,  大仓裕二

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2224

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器的制造方法。通过本发明，能够得到确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方法。在GaAS衬底(10)(半导体衬底)上依次层叠n型包层(12)(第一导电型半导体层)、活性层(14)、p型包层(16)(第二导电型半导体层)。在p型包层(16)中形成脊部(20)。通过成膜温度600℃前后的热CVD法在p型包层(16)上形成SiN膜(22)(第一绝缘膜)。在SiN膜(22)上，通过成膜温度300℃前后的等离子体CVD法，形成SiN膜(24)(第二绝缘膜)。在SiN膜(24)上形成电极(26)。

公开(公告)号：CN101588020A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910009970.7

申请日：2009-01-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  西田武弘 ,  大仓裕二 ,  高濑祯

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/24

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。

公开(公告)号：CN1392641A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02119180.8

申请日：2002-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司 ,  八木哲哉 ,  宫下宗治 ,  西口晴美 ,  大仓裕二 ,  笠井信之 ,  田代贺久 ,  谷村纯二

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/16

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN101924323B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010125911.9

申请日：2010-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大仓裕二

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4037 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下，各激光二极管芯片的发光点间的距离变长，光学设计困难。此外，在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下，组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片，构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。

公开(公告)号：CN101924323A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010125911.9

申请日：2010-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大仓裕二

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/4037 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下，各激光二极管芯片的发光点间的距离变长，光学设计困难。此外，在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下，组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片，构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。