公开(公告)号：CN101465518A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810183988.4

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木洋介 ,  中川康幸 ,  臧本恭介 ,  白滨武郎

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/223

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。

公开(公告)号：CN101452899A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810178023.6

申请日：2008-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  黑川博志 ,  德田安纪 ,  臧本恭介 ,  佐久间仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。

公开(公告)号：CN101452899B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810178023.6

申请日：2008-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  黑川博志 ,  德田安纪 ,  臧本恭介 ,  佐久间仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。