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公开(公告)号：CN101447645B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101471253B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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公开(公告)号：CN101452899A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101452899B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465519A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184420.4
申请日：2008-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。本发明提供能够降低在P型电极与氮化物半导体层的界面的接触电阻的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置(10)包括：P型氮化物半导体层(1)；和形成于P型氮化物半导体层(1)上的P型电极(3)，P型电极(3)通过在P型氮化物半导体层(1)上依次层叠由功函数为5.1eV以上的金属构成的金属层(3a)；由钯(Pd)构成的Pd层(3b)；和由钽(Ta)构成的Ta层(3c)而被形成。
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公开(公告)号：CN101447468B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810178809.8
申请日：2008-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101471253A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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公开(公告)号：CN101447645A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101447468A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178809.8
申请日：2008-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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