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公开(公告)号：CN101471253B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101447645B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101395701B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780007843.2
申请日：2007-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4941 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。
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公开(公告)号：CN101471253A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190647.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
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公开(公告)号：CN101447645A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182383.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。
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公开(公告)号：CN101395701A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007843.2
申请日：2007-03-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4941 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。
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