公开(公告)号：CN109755321A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910050925.X

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN105723499B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201480062114.7

申请日：2014-09-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨田宪治 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。本发明在基板(11)上形成漂移层(12)。另外，在漂移层表面形成离子注入层(13)。另外，在漂移层内形成剩余碳区域(31)。另外，对漂移层进行加热。在形成剩余碳区域的情况下，在比离子注入层和漂移层的界面深的区域中形成剩余碳区域。在对漂移层进行加热的情况下，激活离子注入层的杂质离子而形成激活层(113)，使晶格间碳原子扩散到激活层侧。

公开(公告)号：CN104285301B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380025183.6

申请日：2013-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  日野史郎 ,  古川彰彦 ,  阿部雄次 ,  中田修平 ,  今泉昌之 ,  香川泰宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/8083

Abstract: MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)

公开(公告)号：CN103262248B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180059464.4

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  古川彰彦 ,  日野史郎 ,  渡边宽 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够防止在关断时流入栅电极的沟槽底部的保护扩散层的位移电流所引起的栅绝缘膜的破坏，同时使单元间距变窄而提高电流密度的沟槽栅型的半导体装置。该半导体装置具备埋入到贯通基区3的沟槽5的栅电极7。栅电极7在俯视时配设为格子状，在其底部的漂移层2a形成保护扩散层13。由栅电极7划分的至少一个区段是在整体形成了沟槽5的保护触点区域20。在保护触点区域20，配设连接沟槽5的底部的保护扩散层13和源电极9的保护触点21。

公开(公告)号：CN105074921A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019915.5

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  海老原洪平

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于，在终端附近的构件单元中的pn二极管进行动作之前增大整个芯片中流过的电流值，能够实现芯片尺寸的缩小以及由此带来的芯片成本的降低。本发明具备在俯视时夹着地多个第1阱区(30)整体地形成了的第2阱区(31)、在第2阱区内从第2阱区表层向深度方向贯通地形成了的第3间隔区域(23)、以及在第3间隔区域上设置了的第2肖特基电极(75)。

公开(公告)号：CN104737296A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054265.3

申请日：2013-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  香川泰宏 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7813

Abstract: 得到缓和栅极绝缘膜的电场强度并且导通电阻低的碳化硅半导体装置。该碳化硅半导体装置具有：n型碳化硅基板(1)；在n型碳化硅基板(1)的上表面形成了的漂移层(2)；在漂移层(2)中形成并且在内部具有栅极绝缘膜(8)与栅极电极(9)的沟槽(7)；与沟槽(7)空出间隔而平行地形成并且比沟槽(7)深的p型高浓度阱区(6)；以及从相比沟槽(7)的底部端而更向上表面侧的、沟槽(7)底部的栅极绝缘膜(8)的膜厚程度的上方位置朝向p型高浓度阱区(6)的下端缓慢变深地形成的p型体区域(4)。

公开(公告)号：CN101946322B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN104969357B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201480007472.8

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN104425574B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410432842.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  今泉昌之 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 由于在肖特基电极的外周端处存在的前端尖锐形状的蚀刻残渣，易于在SBD高频开关动作时由于位移电流而在上述残渣部处引起电场集中。本发明的碳化硅半导体装置具有：第1导电型的漂移层(1b)；在漂移层(1b)中形成的第2导电型的保护环区域(2)；以将保护环区域(2)包围的方式形成的场绝缘膜(3)；肖特基电极(4)，其以在保护环区域(2)的内侧将在表面露出的漂移层(1b)和保护环区域(2)覆盖的方式形成，其外周端存在于场绝缘膜(3)上；以及在肖特基电极(4)上形成的表面电极焊盘(5)，表面电极焊盘(5)的外周端越过肖特基电极(4)的外周端而与所述场绝缘膜(3)接触。

公开(公告)号：CN104737296B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380054265.3

申请日：2013-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  香川泰宏 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7813

Abstract: 得到缓和栅极绝缘膜的电场强度并且导通电阻低的碳化硅半导体装置。该碳化硅半导体装置具有：n型碳化硅基板(1)；在n型碳化硅基板(1)的上表面形成了的漂移层(2)；在漂移层(2)中形成并且在内部具有栅极绝缘膜(8)与栅极电极(9)的沟槽(7)；与沟槽(7)空出间隔而平行地形成并且比沟槽(7)深的p型高浓度阱区(6)；以及从相比沟槽(7)的底部端而更向上表面侧的、沟槽(7)底部的栅极绝缘膜(8)的膜厚程度的上方位置朝向p型高浓度阱区(6)的下端缓慢变深地形成的p型体区域(4)。