公开(公告)号：CN112086509B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010512859.6

申请日：2020-06-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  高木保志 ,  田口健介 ,  宫崎光介

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。

公开(公告)号：CN101946322A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN102800570B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210037902.3

申请日：2012-02-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  樽井阳一郎

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法。提供一种半导体装置，能够在碳化硅肖特基二极管的制造中，使二极管的正向特性特别是势垒高度φB稳定，使漏电流的偏差减少。在外延层（2）上利用干式热氧化形成硅氧化膜OX1，在SiC基板（1）的背面形成欧姆电极（3），之后，对SiC基板（1）进行退火，在欧姆电极（3）和SiC基板（1）的背面之间形成欧姆接合，除去硅氧化膜OX1，之后，在外延层（2）上形成肖特基电极（4）。之后，进行烧结，在肖特基电极（4）和外延层之间形成肖特基接合。

公开(公告)号：CN102800570A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210037902.3

申请日：2012-02-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  樽井阳一郎

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法。提供一种半导体装置，能够在碳化硅肖特基二极管的制造中，使二极管的正向特性特别是势垒高度φB稳定，使漏电流的偏差减少。在外延层（2）上利用干式热氧化形成硅氧化膜OX1，在SiC基板（1）的背面形成欧姆电极（3），之后，对SiC基板（1）进行退火，在欧姆电极（3）和SiC基板（1）的背面之间形成欧姆接合，除去硅氧化膜OX1，之后，在外延层（2）上形成肖特基电极（4）。之后，进行烧结，在肖特基电极（4）和外延层之间形成肖特基接合。

公开(公告)号：CN102396069A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200980158694.9

申请日：2009-09-01

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  大塚健一 ,  油谷直毅 ,  黑田研一 ,  渡边宽 ,  鹿间省三

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的目的在于提供一种可以缩短牺牲氧化膜的去除所需的时间，并且可以降低对炭化硅层的表面的损伤的炭化硅半导体装置的制造方法。该炭化硅半导体的制造方法具备：(a)对炭化硅层进行离子注入的工序；(b)对离子注入后的所述炭化硅层进行活性化退火的工序；(c)通过干蚀刻去除活性化退火后的所述炭化硅层的表层的工序；(d)对干蚀刻后的所述炭化硅层的表层进行牺牲氧化来形成牺牲氧化膜的工序；以及(e)通过湿蚀刻去除所述牺牲氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN1787228A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510082033.6

申请日：2005-07-05

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大塚健一 ,  樽井阳一郎 ,  松野吉德 ,  黑田研一 ,  杉本博司

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872 ,  Y10S388/917

摘要： 提供一种半导体器件，尤其是制造工序简单且可获得充分的耐压特性的JTE结构。该半导体器件包括：与在SiC衬底(1)上形成的n型漂移层(2)进行肖特基接触的正电极(3)、和在正电极(3)的外周部形成的JTE区(6)。JTE区(6)由在包含漂移层(2)的上部中的正电极(3)的边缘之下的区域上形成的第一p型区(6a)和在其外侧形成且杂质面浓度比第一p型区(6a)低的第二p型区(6b)构成。在距正电极(3)的边缘≥15μm的外侧处设置第二p型区(6b)。第一p型区(6a)的杂质面浓度为1.8×1013～4×1013cm－2、第二p型区(6b)杂质面浓度为1×1013～2.5×1013cm－2。

公开(公告)号：CN111725296B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010186755.0

申请日：2020-03-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  谷冈寿一 ,  折附泰典 ,  滨野健一 ,  花野尚慎

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

摘要： 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。

公开(公告)号：CN102396069B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980158694.9

申请日：2009-09-01

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松野吉德 ,  大塚健一 ,  油谷直毅 ,  黑田研一 ,  渡边宽 ,  鹿间省三

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的目的在于提供一种可以缩短牺牲氧化膜的去除所需的时间，并且可以降低对炭化硅层的表面的损伤的炭化硅肖特基二极管的制造方法。该炭化硅半导体的制造方法具备：(a)对具有(0001)硅面或者(000-1)碳面的炭化硅层进行离子注入的工序；(b)对离子注入后的所述炭化硅层进行活性化退火的工序；(c)通过干蚀刻去除活性化退火后的所述炭化硅层的表层的工序；(d)对干蚀刻后的所述炭化硅层的表层进行牺牲氧化来形成牺牲氧化膜的工序；以及(e)通过湿蚀刻去除所述牺牲氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN101946322B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN101268555B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680034006.4

申请日：2006-04-24

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 杉本博司 ,  松野吉德 ,  大塚健一 ,  三上登 ,  黑田研一

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/04 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

摘要： 在n-型碳化硅倾斜的衬底(2)的主表面上形成通过外延生长的方法由碳化硅制成的n-型电压阻隔层(3)。在n-型电压阻隔层(3)上形成了当从上方观看时是矩形的p-型碳化硅区域(4)。在p-型碳化硅区域(4)的表面上形成了p-型接触电极(5)。在p-型碳化硅区域(4)中，易于引起雪崩击穿的且与碳化硅晶体(11-20)的平面(14a)平行的p-型碳化硅区域(4)的外围位于短边上。这样，能够提高碳化硅半导体器件的电介质强度。