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公开(公告)号：CN113330579A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980090055.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置，半导体基板具有：第1导电类型的半导体层；以及第2导电类型的阱区域，设置于半导体层的上层部，半导体装置具备：表面电极，设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上；背面电极，设置于第1主面上；以及上表面膜，覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的外侧区域的至少一部分，阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分，表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接，上表面膜具有至少1个外周开口部，该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极，沿着表面电极的外周设置。
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公开(公告)号：CN113330579B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201980090055.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置，半导体基板具有：第1导电类型的半导体层；以及第2导电类型的阱区域，设置于半导体层的上层部，半导体装置具备：表面电极，设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上；背面电极，设置于第1主面上；以及上表面膜，覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的比所述表面电极的端面更靠外侧的外侧区域的至少一部分，阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分，表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接，上表面膜具有至少1个外周开口部，该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极，沿着表面电极的外周设置，所述至少1个外周开口部设置于比所述阱区域的外侧端面更靠内侧。
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公开(公告)号：CN112086509A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010512859.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。
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公开(公告)号：CN119325272A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410520008.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10D84/01 , H01L21/78 , H01L23/544
Abstract: 本发明的目的在于提供能够减小无效区域并且抑制包覆膜的剥离的技术。半导体装置的制造方法包括：准备半导体构造体的准备工序、和对切割线区域进行切割的切割工序。侧监视电极的厚度比包覆膜的厚度小，在包覆膜与侧监视电极之间的距离b[μm]、和俯视时切割线区域的延伸方向上的侧监视电极的长度d[mm]之间，15＞b＞1.15×d+6.88成立。
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公开(公告)号：CN112086509B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010512859.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。
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