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公开(公告)号：CN119325272A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410520008.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10D84/01 , H01L21/78 , H01L23/544
Abstract: 本发明的目的在于提供能够减小无效区域并且抑制包覆膜的剥离的技术。半导体装置的制造方法包括：准备半导体构造体的准备工序、和对切割线区域进行切割的切割工序。侧监视电极的厚度比包覆膜的厚度小，在包覆膜与侧监视电极之间的距离b[μm]、和俯视时切割线区域的延伸方向上的侧监视电极的长度d[mm]之间，15＞b＞1.15×d+6.88成立。
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