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公开(公告)号：CN113330579A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980090055.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置，半导体基板具有：第1导电类型的半导体层；以及第2导电类型的阱区域，设置于半导体层的上层部，半导体装置具备：表面电极，设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上；背面电极，设置于第1主面上；以及上表面膜，覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的外侧区域的至少一部分，阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分，表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接，上表面膜具有至少1个外周开口部，该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极，沿着表面电极的外周设置。
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公开(公告)号：CN112086509B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010512859.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：绝缘层，其配置于终端区域侧的第1杂质层及第2杂质层之上；金属化层，其配置于从绝缘层露出的第1杂质层及第2杂质层之上、以及绝缘层之上；以及电极，其配置于金属化层之上。在俯视观察时，金属化层的终端区域侧的第1端部的位置与电极的终端区域侧的第2端部的位置相同。
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公开(公告)号：CN114509646A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111232242.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供可在晶片状态下进行半导体器件耐压试验的半导体测试装置及半导体测试方法。本发明涉及的半导体测试装置具有：工作台(1)，其载置晶片；加压壁(4)，其设置于探针板的与工作台相对的面之上，朝向工作台延伸且具有开口部；标记(11)，其设置于加压壁的与工作台相对的面即加压壁下表面；探针(5)，其设置于开口部内；气管(6)，其将空气送入开口部内；检测器(8)，其对探针的前端与标记之间的第1间隔进行检测；以及控制部，其基于第1间隔对晶片与加压壁下表面之间的第2间隔进行控制，在对晶片处的各芯片的电气特性进行测定时，控制部以第2间隔成为预先确定的间隔的方式进行控制，从气管将空气送入开口部内。
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公开(公告)号：CN118107080A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311580404.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B28D5/02 , B28D5/00 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法，即使在尺寸不同的半导体芯片混合存在的情况下，也能够将各个半导体芯片适当地设为容易从切割片剥离的状态而进行拾起。拾取装置(10)具有：工作台(12)，其具有与贴附有半导体芯片(101)的切割片(100)的背面相对地配置的多个凸起部(13)；以及吸引单元(14)，其将外框(11)、切割片(100)、工作台(12)之间的空间抽真空。多个凸起部(13)包含彼此高度或上下方向的弹性模量不同的多个第1凸起部(13a)和多个第2凸起部(13b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118809841A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410453629.5
申请日：2024-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B28D5/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , B28D7/04
Abstract: 提供在半导体芯片的剥离时抑制了无用芯片飞散的半导体制造装置。半导体制造装置(101)从粘贴有大致圆形的晶片的切割片剥离半导体芯片，晶片包含被分割而切分为小片的半导体芯片，半导体制造装置具有：工作台(3)，其具有多个凸起部；切割片保持部(7)；以及抽真空构件，其将工作台(3)与切割片(13)之间的空间抽真空，凸起部包含多个第1凸起部(10)以及第2凸起部(11)，多个第1凸起部(10)在剖视观察时具有前端变细的锥形部且前端配置于工作台(3)中央的大致圆形的区域即中央部(3a1)，第2凸起部(11)在剖视观察时没有锥形部位且前端在俯视观察时配置于包围中央部(3a1)的区域即外周部(3a2)。
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公开(公告)号：CN109417019B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201680087344.8
申请日：2016-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在晶片工艺中，在晶片(W1)以及监视晶片(W2)同时以相同的生长条件分别形成多晶硅膜(P1、P2)。对在监视晶片(W2)形成的多晶硅膜(P2)的膜厚和磷浓度的至少一者进行测定而得到测定值。基于测定值而选择多个掩模图案(A、B、C)中的1个，使用所选择的掩模图案对在晶片(W1)形成的多晶硅膜(P1)进行蚀刻而形成多晶硅电阻(5)。
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公开(公告)号：CN106663693B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480080201.5
申请日：2014-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明能够一边抑制短路耐量的降低，一边降低导通电阻。本发明具有SiC外延层(2)、阱区域(3)、源极区域(4)、沟道电阻调整区域(6)、栅极电极(7)、层间绝缘膜(9)、源极电极(10)、以及漏极电极(12)。沟道电阻调整区域(6)是在阱区域(3)的表层被源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着而形成的。沟道电阻调整区域(6)是，在与由源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着沟道电阻调整区域(6)的方向相交叉的方向，间断地形成第1杂质区域的区域。
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公开(公告)号：CN106663693A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480080201.5
申请日：2014-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/26513 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1045 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/66068 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/78
Abstract: 本发明能够一边抑制短路耐量的降低，一边降低导通电阻。本发明具有SiC外延层(2)、阱区域(3)、源极区域(4)、沟道电阻调整区域(6)、栅极电极(7)、层间绝缘膜(9)、源极电极(10)、以及漏极电极(12)。沟道电阻调整区域(6)是在阱区域(3)的表层被源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着而形成的。沟道电阻调整区域(6)是，在与由源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着沟道电阻调整区域(6)的方向相交叉的方向，间断地形成第1杂质区域的区域。
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公开(公告)号：CN113330579B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201980090055.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置，半导体基板具有：第1导电类型的半导体层；以及第2导电类型的阱区域，设置于半导体层的上层部，半导体装置具备：表面电极，设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上；背面电极，设置于第1主面上；以及上表面膜，覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的比所述表面电极的端面更靠外侧的外侧区域的至少一部分，阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分，表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接，上表面膜具有至少1个外周开口部，该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极，沿着表面电极的外周设置，所述至少1个外周开口部设置于比所述阱区域的外侧端面更靠内侧。
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