公开(公告)号：CN110858610B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201910759483.6

申请日：2019-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北野大

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供能够抑制元件破坏，能够提高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体装置具备半导体衬底、第1主电极以及多个单元区域。多个单元区域配置于半导体衬底的第1主面之上。第1主电极配置于多个单元区域之上。第1主电极具备第1金属膜、中间膜以及第2金属膜。第1金属膜以及第2金属膜由具有大于或等于95重量％的Al浓度的金属构成。中间膜包含由金属化合物构成的主要成分相以及由铁族元素构成的次要成分相。构成主要成分相的金属化合物是长周期型的周期表中的从由4A、5A以及6A族元素构成的组选择的至少1种元素和从由C以及N构成的组选择的至少1种元素的金属化合物。中间膜具有比第2金属膜的硬度高的硬度。

公开(公告)号：CN118809841A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410453629.5

申请日：2024-04-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下钦也 ,  高木保志 ,  上野和起 ,  北野大

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  B28D7/04

Abstract: 提供在半导体芯片的剥离时抑制了无用芯片飞散的半导体制造装置。半导体制造装置(101)从粘贴有大致圆形的晶片的切割片剥离半导体芯片，晶片包含被分割而切分为小片的半导体芯片，半导体制造装置具有：工作台(3)，其具有多个凸起部；切割片保持部(7)；以及抽真空构件，其将工作台(3)与切割片(13)之间的空间抽真空，凸起部包含多个第1凸起部(10)以及第2凸起部(11)，多个第1凸起部(10)在剖视观察时具有前端变细的锥形部且前端配置于工作台(3)中央的大致圆形的区域即中央部(3a1)，第2凸起部(11)在剖视观察时没有锥形部位且前端在俯视观察时配置于包围中央部(3a1)的区域即外周部(3a2)。

公开(公告)号：CN110858610A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910759483.6

申请日：2019-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北野大

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供能够抑制元件破坏，能够提高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体装置具备半导体衬底、第1主电极以及多个单元区域。多个单元区域配置于半导体衬底的第1主面之上。第1主电极配置于多个单元区域之上。第1主电极具备第1金属膜、中间膜以及第2金属膜。第1金属膜以及第2金属膜由具有大于或等于95重量％的Al浓度的金属构成。中间膜包含由金属化合物构成的主要成分相以及由铁族元素构成的次要成分相。构成主要成分相的金属化合物是长周期型的周期表中的从由4A、5A以及6A族元素构成的组选择的至少1种元素和从由C以及N构成的组选择的至少1种元素的金属化合物。中间膜具有比第2金属膜的硬度高的硬度。