-
公开(公告)号：CN111725296B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010186755.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。
-
公开(公告)号：CN103972292A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043857.1
申请日：2014-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L21/0465 , H01L21/049 , H01L21/26513 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其防止由于浪涌电流流过源极区域而引起的寄生双极动作，防止设备的损坏。该半导体装置具有：n型的漂移层（2），其形成在半导体衬底（1）的主表面上；p型阱区域（3），其在漂移层（2）的上层部选择性地形成多个；n型的源极区域（4），其形成在p型阱区域（3）的表面内；以及p型的接触区域（5），其以与源极区域（4）相邻的方式形成在p型阱区域（3）的表面内，比源极区域（4）浅。另外，具有n型的附加区域（6），其在与接触区域（5）的下方对应且与p型阱区域（3）相比较深的位置处，以与p型阱区域（3）的底面接触的方式形成。
-
公开(公告)号：CN109716531A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201680089391.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体装置，该碳化硅半导体装置具备：第2导电型的第3杂质区域，其配置于外周区域，该外周区域为配置单位单元的单元配置区域的外周；场绝缘膜，其配置于外周区域，比栅极绝缘膜厚；层间绝缘膜，其配置于场绝缘膜、栅极电极及栅极绝缘膜之上；第1主电极，其配置于层间绝缘膜之上；以及栅极配线及栅极焊盘，它们经由配置于场绝缘膜之上的栅极电极而彼此电连接，第3杂质区域具有选择性地设置于其上层部并与第3杂质区域相比杂质浓度高的第2导电型的第4杂质区域，栅极配线及栅极焊盘设置于外周区域，第4杂质区域与单元配置区域相邻地设置，并且该第4杂质区域以至少将栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置，与第1主电极电连接。
-
公开(公告)号：CN107431090B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580077932.9
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体装置，其具有：第1导电型的碳化硅半导体层；开关器件，其形成于碳化硅半导体层；第2导电型的电场缓和杂质区域，其形成于开关器件的形成区域的终端部，对终端部的电场进行缓和；以及第1导电型的附加区域，其设置于构成开关器件的多个单位单元的第2导电型的阱区域间以及至少所述电场缓和杂质区域的外侧，与碳化硅半导体层相比杂质浓度更高。
-
公开(公告)号：CN111725296A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010186755.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610639A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110380365.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4941 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7815 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。
-
公开(公告)号：CN107431090A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580077932.9
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体装置，其具有：第1导电型的碳化硅半导体层；开关器件，其形成于碳化硅半导体层；第2导电型的电场缓和杂质区域，其形成于开关器件的形成区域的终端部，对终端部的电场进行缓和；以及第1导电型的附加区域，其设置于构成开关器件的多个单位单元的第2导电型的阱区域间以及至少所述电场缓和杂质区域的外侧，与碳化硅半导体层相比杂质浓度更高。
-
公开(公告)号：CN104064591B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410216921.1
申请日：2011-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4941 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7815 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n‑漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。
-
公开(公告)号：CN102903702B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210117261.2
申请日：2012-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L29/78 , H01L23/522 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/456 , H01L29/66068 , H01L29/7803 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测温电阻体（20），使用该布线层的势垒金属（14）的一部分形成。
-
公开(公告)号：CN102610639B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201110380365.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4941 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7815 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
