公开(公告)号：CN111725296B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010186755.0

申请日：2020-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松野吉德 ,  谷冈寿一 ,  折附泰典 ,  滨野健一 ,  花野尚慎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。

公开(公告)号：CN111725296A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010186755.0

申请日：2020-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松野吉德 ,  谷冈寿一 ,  折附泰典 ,  滨野健一 ,  花野尚慎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。