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公开(公告)号：CN102157375A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110073309.X
申请日：2006-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及双波长热流激光退火。本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。
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公开(公告)号：CN101065829B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200580040288.4
申请日：2005-10-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67115
摘要： 一种热处理衬底的设备包括具有沿着慢轴排列的多个激光二极管的激光辐射源、将来自源的激光辐射定向到衬底的镜片，以及沿着垂直于慢轴的快轴排列并接收从衬底反射通过镜片的部分激光辐射的光电探测器阵列。
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公开(公告)号：CN101065649B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200580040289.9
申请日：2005-10-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： G01J5/06 , B23K26/03 , B23K26/073
CPC分类号： G02B5/281 , G01J5/06 , H01S5/005 , H01S5/4012
摘要： 一种热处理系统包括以激光波长发射的激光辐射源、设置在反射表面和能容纳待处理衬底的衬底支架之间的光束投射光学装置、响应于高温计波长的高温计，以及波长响应光学元件，该光学元件具有用于在包括激光波长的第一波长范围内的光的第一光学路径，第一光学路径位于激光辐射源和光束投射光学装置之间，以及具有用于在包括高温计波长的第二光学范围内的光的第二光学路径，第二光学路径位于光束投射光学装置和高温计之间。该系统可进一步包括在激光辐射源和波长响应光学元件之间的高温计波长阻挡滤波器。
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公开(公告)号：CN101160646B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200680012575.9
申请日：2006-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/428
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。
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公开(公告)号：CN101160646A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012575.9
申请日：2006-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/428
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。
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公开(公告)号：CN103441179A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310289184.3
申请日：2005-10-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L31/08 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L21/67115
摘要： 本发明涉及一种用于基于退火系统的高功率激光二极管的自动聚焦装置。一种热处理衬底的设备包括具有沿着慢轴排列的多个激光二极管的激光辐射源、将来自源的激光辐射定向到衬底的镜片，以及沿着垂直于慢轴的快轴排列并接收从衬底反射通过镜片的部分激光辐射的光电探测器阵列。
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公开(公告)号：CN102157375B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110073309.X
申请日：2006-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及双波长热流激光退火。本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描，以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级，并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级，因此硅对此是透明的，但是长波长辐射被自由载流子吸收。
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