-
公开(公告)号：CN102456533B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
-
公开(公告)号：CN103035773B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201210367394.5
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/0312 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种电阻损失少且转换效率高的光电转换装置。光电转换装置包括：在一对电极之间，在具有一导电型的结晶硅衬底的一个面形成具有与该结晶硅衬底相反的导电型的第一硅半导体层，在该结晶硅衬底的另一个面形成具有与该结晶硅衬底相同的导电型的第二硅半导体层，第一硅半导体层及第二硅半导体层在厚度方向上为载流子浓度不同的结构。
-
公开(公告)号：CN103035773A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367394.5
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/0312 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种电阻损失少且转换效率高的光电转换装置。光电转换装置包括：在一对电极之间，在具有一导电型的结晶硅衬底的一个面形成具有与该结晶硅衬底相反的导电型的第一硅半导体层，在该结晶硅衬底的另一个面形成具有与该结晶硅衬底相同的导电型的第二硅半导体层，第一硅半导体层及第二硅半导体层在厚度方向上为载流子浓度不同的结构。
-
公开(公告)号：CN102456533A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.023 seconds)
